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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTFC262808SVV1R250XTMA1 | 726-PTFC262808SVV1R2 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 2729GN-150 | 494-2729GN-150新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥2,754.7182 | 最低： 5 倍数： 1 |  详细信息 |
 | T2G4005528-FS | 772-T2G4005528-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,632.3957 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MCH4016-TL-H | 863-MCH4016-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 HIGH-FREQUENCY TR | 数据表 | 8990 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.5974 100：¥1.6029 1,000：¥1.2285 3,000：¥1.07055 9,000：¥0.9945 24,000：¥0.91845 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2955 | 772-TGF2955新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MAPRST1030-1KS | 937-MAPRST1030-1KS新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1030MHz 1000W Gain: 8.0dB | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥5,071.9032 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC5066-O,LF | 757-2SC5066OLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 4290 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.0709 100：¥1.15479 1,000：¥0.84123 3,000：¥0.72657 9,000：¥0.68094 24,000：¥0.62712 45,000：¥0.60489 99,000：¥0.58149 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT05MS031GNR1 | 841-AFT05MS031GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V | 数据表 | 815 有库存 | 1：¥120.7908 10：¥111.0681 25：¥106.1775 100：¥93.7872 250：¥83.8422 500：¥81.0108 1,000：¥74.3535 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MMRF1023HSR5 | 841-MMRF1023HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,251.6075 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | NPT2021 | 937-NPT2021新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT | 数据表 | 无库存 | 1：¥636.129 10：¥612.5652 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55025S-E | 511-PD55025S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥166.9122 10：¥162.1737 100：¥149.3154 250：¥142.8102 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLW77 | 974-BLW77新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥665.5077 10：¥554.5917 25：¥499.122 50：¥443.664 100：¥399.2976 200：¥310.5648 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 520F H6327 | 726-BFP520FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1654 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7729 100：¥1.6848 1,000：¥1.3104 3,000：¥1.10916 9,000：¥1.04013 24,000：¥0.97929 45,000：¥0.95589 99,000：¥0.92547 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB210801FAV1R0XTMA1 | 726-PTFB210801FAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥364.9581 100：¥338.1768 250：¥328.4658 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFM907NT1 | 841-AFM907NT1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power | 数据表 | 832 有库存 | 1：¥17.5149 10：¥16.0641 25：¥14.6133 100：¥13.1625 250：¥12.0861 500：¥11.0097 1,000：¥9.8631 2,000：¥9.6408 5,000：¥9.1845 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T2G6001528-Q3 | 772-T2G6001528-Q3新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥808.9263 25：¥730.0683 100：¥658.8504 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLM8G0710S-15PBY | 771-BLM8G0710S-15PBY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC | 数据表 | 无库存 | 1：¥266.5845 5：¥263.835 10：¥245.934 25：¥234.8424 100：¥209.9799 200：¥200.3391 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | SD2931-12W | 511-SD2931-12W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥541.9674 5：¥532.0224 10：¥518.2515 25：¥508.0725 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BLV32F | 974-BLV32F新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥731.5191 10：¥671.2407 25：¥602.3979 50：¥533.5551 100：¥481.9113 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
.JPG) | PD54008L-E | 511-PD54008L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥72.9729 10：¥66.0114 25：¥62.9577 100：¥54.6156 250：¥52.1703 500：¥47.5839 1,000：¥41.4648 3,000：¥39.9321 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBFJ305 | 512-MMBFJ305新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TO-236AB JFET | 数据表 | 2277 有库存 | 1：¥2.8314 10：¥2.1528 100：¥1.16298 1,000：¥0.87165 3,000：¥0.75699 9,000：¥0.70317 24,000：¥0.65052 45,000：¥0.62712 99,000：¥0.5967 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB183404FV2R250XTMA1 | 726-PTFB183404FV2R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,005.0651 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | A2T21S160-12SR3 | 841-A2T21S160-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥684.8595 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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