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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PD54003-E | 511-PD54003-E 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan | 数据表 | 无库存 | 400：¥59.8923 | 最低： 400 倍数： 400 |  详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLC8G27LS-160AVJ | 771-BLC8G27LS-160AVJ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC8G27LS-160AV/DFM6F/REEL 13 | 数据表 | 无库存 | 100：¥678.2022 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 475-501N44A-00 | 747-475-501N44A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-475 44A 500V N Channel MOSFET | 数据表 | 42 有库存 | 1：¥370.6911 5：¥357.6924 10：¥346.6008 25：¥320.5917 50：¥310.5648 100：¥300.5496 250：¥286.5447 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZR08N120B-00 | 747-IXZR08N120B-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1200V 8A RF MOSFET, with ISOPLUS-247B package | 数据表 | 89 有库存 | 1：¥236.5155 5：¥229.4019 10：¥215.0226 25：¥198.8883 50：¥194.9805 100：¥182.7423 250：¥166.374 500：¥155.8908 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1101R,215 | 771-BF1101R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.3696 100：¥2.0592 1,000：¥1.5912 3,000：¥1.3572 9,000：¥1.2636 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.17 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFV10700HSR5 | 771-AFV10700HSR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz | 数据表 | 43 有库存 | 1：¥2,695.212 5：¥2,532.816 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXFC192207SHV1R250XTMA1 | 726-PXFC192207SHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | TPV596 | 974-TPV596新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥596.6532 10：¥497.2149 25：¥447.4899 50：¥397.7766 100：¥357.9966 200：¥278.4366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1212,215 | 771-BF1212新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6V | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3228 100：¥2.0241 1,000：¥1.5678 3,000：¥1.3338 9,000：¥1.2519 24,000：¥1.1817 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BF1100R,235 | 771-BF1100R235新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 14V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.2636 20,000：¥1.2051 50,000：¥1.17 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | MMRF1308HR5 | 841-MMRF1308HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,490.1939 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | ARF465AG | 494-ARF465AG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 1：¥350.2746 2：¥340.704 5：¥331.2972 10：¥321.8085 25：¥299.0988 50：¥291.8214 100：¥278.8227 250：¥254.8026 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-60AVY | 771-BLC8G27LS-60AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥385.9128 200：¥374.8212 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PTAB182002FCV1R0XTMA1 | 726-PTAB182002FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥656.5572 100：¥611.3484 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 3SK291(TE85L,F) | 757-3SK291TE85LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V | 数据表 | 2900 有库存 | 1：¥3.978 10：¥2.6442 100：¥1.4742 1,000：¥1.07874 3,000：¥0.92547 9,000：¥0.87165 24,000：¥0.7956 45,000：¥0.76518 99,000：¥0.73476 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF323 | 974-MRF323新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥596.6532 10：¥497.2149 25：¥447.4899 50：¥397.7766 100：¥357.9966 200：¥278.4366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT26P100-4WGSR3 | 841-AFT26P100-4WGSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2496-2690 MHz 22 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥633.2976 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-140AVZ | 771-BLC8G27LS-140AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥632.4552 120：¥588.9312 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BLC8G21LS-160AVY | 771-BLC8G21LS-160AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 100：¥624.6513 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MMRF1008HR5 | 841-MMRF1008HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,428.3935 5：¥2,391.0705 10：¥2,355.5025 25：¥2,304.6309 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFG24S100HR5 | 841-AFG24S100HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR, 1-2690 MHz, 125 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,696.8256 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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