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NXH160T120L2Q2F2SG
图像仅供参考
请参阅产品规格
樊伊零件编号:
NXH160T120L2Q2F2SG
制造商零件编号:
863-NXH160T120Q2F2SG
制造商:
ON Semiconductor
说明:
IGBT 模块 PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT
寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表品。
0
规格
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产品属性
属性值
搜索类似
制造商:
ON Semiconductor
产品种类:
IGBT 模块
RoHS:
详细信息
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Split-T
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V, 1200 V
集电极—射极饱和电压
1.47 V, 2.15 V
在25 C的连续集电极电流
100 A, 160 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA, 500 nA
Pd-功率耗散
500 W
封装 / 箱体
Q2PACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
ON Semiconductor
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
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实时供货
库存:
无库存
工厂交货期:
26 周
输入数量:
最少: 1
倍数:1
选择下面的包装选项
单价(含17%增值税)
1:
¥1,021.1248
5:
¥1,001.1032
10:
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