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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.JPG) | PD55003L-E | 511-PD55003L-E 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan | 数据表 | 2839 有库存 | 1：¥69.9894 10：¥62.9577 25：¥57.3768 50：¥53.469 100：¥51.7842 250：¥47.1978 500：¥43.1379 1,000：¥36.4923 3,000：¥34.5735 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BFP840FESDH6327XTSA1 | 726-BFP840FESDH6327X新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 2519 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.8431 100：¥1.7316 1,000：¥1.3338 3,000：¥1.13958 9,000：¥1.06353 24,000：¥1.00971 45,000：¥0.98631 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF085HR5 | 841-MRF085HR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,197.8343 5：¥1,171.1349 10：¥1,147.185 25：¥1,130.2083 50：¥1,089.2115 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1214-110M | 494-1214-110M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,412.1178 5：¥3,197.9376 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1202R,215 | 771-BF1202R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3228 100：¥2.0241 1,000：¥1.5678 3,000：¥1.3338 9,000：¥1.2519 24,000：¥1.1817 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLV31 | 974-BLV31新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥665.5077 10：¥554.5917 25：¥499.122 50：¥443.664 100：¥399.2976 200：¥310.5648 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1205,135 | 771-BF1205135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.6029 20,000：¥1.5327 50,000：¥1.5093 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | DME500 | 494-DME500新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥2,142.153 | 最低： 25 倍数： 1 | |
 | 2SK4037(TE12L,Q) | 757-2SK4037TE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS | 数据表 | 936 有库存 | 1：¥36.4104 10：¥29.2968 100：¥26.6994 250：¥24.0903 500：¥21.645 1,000：¥18.2052 2,000：¥17.3628 5,000：¥16.6725 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57030-E | 511-PD57030-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 98 有库存 | 1：¥333.7425 2：¥330.0687 5：¥326.3247 10：¥311.4072 25：¥294.6528 50：¥287.469 100：¥270.3285 250：¥250.9767 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2N5953 | 610-2N5953新产品 | Central Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch FET 30Vgs 30Vdg 10mA 360mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥8.7165 10：¥7.1136 100：¥5.9319 500：¥4.5747 1,000：¥4.1301 2,000：¥3.6621 10,000：¥3.5217 24,000：¥3.4164 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | VRF141G | 494-VRF141G新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥897.5889 2：¥869.7429 5：¥869.5089 10：¥841.4406 25：¥809.7687 50：¥798.759 100：¥731.6712 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | QPD1008L | 772-QPD1008L新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN | 数据表 | 24 有库存 | 1：¥1,529.892 25：¥1,323.3519 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T08VD020NT1 | 841-A2T08VD020NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥184.9653 | 最低： 1000 倍数： 1000 | |
 | A2T21H450W19SR6 | 841-A2T21H450W19SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 89 W Avg., 30 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,459.6686 | 最低： 150 倍数： 150 | |
 | PTVA042502FCV1R0XTMA1 | 726-PTVA042502FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,061.5878 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTFC262808SVV1XWSA1 | 726-PTFC262808SVV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFU550R | 771-BFU550R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 28678 有库存 | 20,000：¥0.38961 50,000：¥0.34398 100：¥2.0826 1,000：¥1.6146 3,000：¥1.3806 9,000：¥1.287 24,000：¥1.2168 45,000：¥1.1817 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAD184218FVV1R0XTMA1 | 726-PXAD184218FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10E | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,029.0852 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PMBFJ309,215 | 771-PMBFJ309215新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 5117 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.574 100：¥1.3923 1,000：¥1.04832 3,000：¥0.90207 9,000：¥0.84123 24,000：¥0.7722 45,000：¥0.74997 99,000：¥0.71955 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | UML3 | 974-UML3新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 225-400MHz Pout = 3W | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | NPT1010B | 937-NPT1010B新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,779.8849 10：¥2,676.9249 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57006STR-E | 511-PD57006STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor N Chnl | 数据表 | 无库存 | 1：¥123.8445 10：¥113.8995 25：¥109.161 100：¥96.1506 250：¥91.4121 600：¥85.5153 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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