24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AFT09MS015NT1 | 841-AFT09MS015NT1 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-94 MHz 16W 12.5V | 数据表 | 817 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
| AFV09P350-04GNR3 | 841-AFV09P350-04GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,477.5268 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFU520R | 771-BFU520R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 5970 有库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.5056 100：¥1.5196 1,000：¥1.1832 3,000：¥1.0092 9,000：¥0.94076 24,000：¥0.8874 45,000：¥0.8642 99,000：¥0.83404 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFIC10275GNR1 | 841-AFIC10275GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥1,728.4928 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| MS3022 | 494-MS3022新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
| LET9045S | 511-LET9045S新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 1：¥381.7096 5：¥373.1372 10：¥358.5792 25：¥346.9676 100：¥321.5636 250：¥312.3068 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | 55GN01CA-TB-E | 863-55GN01CA-TB-E新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 SWITCHING DEVICE | 数据表 | 8994 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.204 100：¥0.94772 1,000：¥0.72848 3,000：¥0.55332 9,000：¥0.493 24,000：¥0.46284 45,000：¥0.40948 99,000：¥0.3944 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF151G | 937-MRF151G新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥849.874 10：¥796.7808 25：¥778.128 50：¥759.5448 100：¥717.0772 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55008S-E | 511-PD55008S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 209 有库存 | 1：¥119.1436 10：¥109.5156 25：¥104.9684 100：¥92.5216 250：¥87.9744 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6V12500HSR5 | 841-MRF6V12500HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,805.7268 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| CGH40120P | 941-CGH40120P新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt | 数据表 | 无库存 | 250：¥2,296.8348 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PTFB210801FA V1 R250 | 726-PTFB210801FAV1R新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥325.6584 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BLF2425M7L140,112 | 771-BLF2425M7L140112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.45GHz 65V 17.5dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥907.816 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| MMBTH10-TP | 833-MMBTH10-TP新产品 | Micro Commercial Components (MCC) | 射频(RF)双极晶体管 225mW, 25V,50mA | 数据表 | 1970 有库存 | 1：¥2.1228 10：¥1.4036 100：¥0.58348 1,000：¥0.40252 3,000：¥0.30392 9,000：¥0.25752 24,000：¥0.24244 45,000：¥0.22736 99,000：¥0.1972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MAPR-000912-500S00 | 937-MAPR000912500S00新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥5,208.516 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1016HR5 | 841-MMRF1016HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500 MHz, 600 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,553.5184 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-140AVZ | 771-BLC8G27LS-140AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥627.0496 120：¥583.8976 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MRF151GB | 974-MRF151GB新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥948.01 10：¥917.676 25：¥887.342 50：¥717.0772 100：¥688.1004 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PXAC210552MDV1R5XUMA1 | 726-PXAC210552MDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥218.5788 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | SS9018GBU | 512-SS9018GBU新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA | 数据表 | 28393 有库存 | 1：¥1.5892 10：¥1.06952 100：¥0.44776 1,000：¥0.30392 2,000：¥0.24244 10,000：¥0.20532 25,000：¥0.18908 50,000：¥0.18212 100,000：¥0.15892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| A2T18H410-24SR6 | 841-A2T18H410-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,900.7992 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| MMRF1020-04NR3 | 841-MMRF1020-04NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,666.2936 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | IXZ316N60 | 747-IXZ316N60新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ316N60 16V 600A N Channel ZMOS Switch MOSFET | 数据表 | 60 有库存 | 1：¥306.4024 5：¥297.2152 10：¥278.5624 25：¥257.7056 50：¥252.706 100：¥236.7792 250：¥215.5396 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6V3090NR1 | 841-MRF6V3090NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 | 数据表 | 无库存 | 500：¥445.4168 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
