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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TGF2942 | 772-TGF2942 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaN | 数据表 | 100 有库存 | 50：¥120.1296 100：¥106.1748 250：¥98.7392 500：¥91.8488 1,000：¥85.3992 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | NPT1012B | 937-NPT1012B新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN | 数据表 | 25 有库存 | 1：¥1,436.0452 10：¥1,382.8824 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT09MS031NR1 | 841-AFT09MS031NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V | 数据表 | 981 有库存 | 1：¥127.5652 10：¥117.3224 25：¥112.0908 100：¥99.0524 250：¥88.508 500：¥85.55 1,000：¥78.4972 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFU550XRVL | 771-BFU550XRVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.958 10：¥2.0532 100：¥0.94076 1,000：¥0.72036 2,500：¥0.6148 10,000：¥0.56144 25,000：¥0.52316 50,000：¥0.4698 100,000：¥0.45472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLW86 | 974-BLW86新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 13 有库存 | 1：¥591.5536 10：¥492.9652 25：¥443.6652 50：¥394.3768 100：¥354.9368 200：¥276.0568 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MW6S010GNR1 | 841-MW6S010GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W | 数据表 | 无库存 | 500：¥105.8036 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| A2T23H160-24SR3 | 841-A2T23H160-24SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 28 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥690.9076 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | QPD1015 | 772-QPD1015新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN | 数据表 | 39 有库存 | 1：¥1,023.8508 25：¥887.342 100：¥765.9944 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT20P140-4WNR3 | 841-AFT20P140-4WNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥477.7228 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | 2N5952 | 610-2N5952新产品 | Central Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NPN RF Amp | 数据表 | 无库存 | 1：¥8.642 10：¥7.0528 100：¥5.8812 500：¥4.5356 1,000：¥4.0948 2,000：¥3.6308 10,000：¥3.4916 24,000：¥3.3872 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | CGHV35400F | 941-CGHV35400F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| AFT23H200-4S2LR6 | 841-AFT23H200-4S2LR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L | 数据表 | 无库存 | 150：¥722.6104 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| TAN350 | 494-TAN350新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥3,534.4852 | 最低： 25 倍数： 1 | |
 | CGH09120F | 941-CGH09120F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt | 数据表 | 31 有库存 | 1：¥1,494.0684 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AT-31011-TR1G | 630-AT-31011-TR1G新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.944 10：¥3.3988 100：¥2.2388 1,000：¥1.6472 3,000：¥1.4268 9,000：¥1.2992 24,000：¥1.2412 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT18S290-13SR3 | 841-AFT18S290-13SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S | 数据表 | 无库存 | 250：¥896.3668 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PXAC260602FCV1XWSA1 | 726-PXAC260602FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥500.5516 100：¥463.8376 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | MRFE6VP61K25HR5 | 841-MRFE6VP61K25HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H | 数据表 | 51 有库存 | 1：¥1,944.6356 5：¥1,901.2516 10：¥1,862.4264 25：¥1,834.888 50：¥1,768.2228 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU630F,115 | 771-BFU630F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.3268 10：¥3.5264 100：¥2.1576 1,000：¥1.6588 3,000：¥1.4152 9,000：¥1.3224 24,000：¥1.2528 45,000：¥1.218 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC201602FCV1XWSA1 | 726-PXAC201602FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥563.122 100：¥521.942 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | MMBF4416 | 512-MMBF4416新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 9903 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.262 100：¥0.97092 1,000：¥0.74356 3,000：¥0.5684 9,000：¥0.50808 24,000：¥0.4698 45,000：¥0.4176 99,000：¥0.40252 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFA080551FV4R0XTMA1 | 726-PTFA080551FV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥344.7752 100：¥319.522 250：¥310.2652 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| BFU725F/N1,115 | 771-BFU725FN1115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN | 数据表 | 23192 有库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.7376 100：¥1.4848 1,000：¥1.11476 3,000：¥0.9628 9,000：¥0.89436 24,000：¥0.82708 45,000：¥0.79576 99,000：¥0.75864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 193 E6327 | 726-BFP193E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 5835 有库存 | 1：¥2.726 10：¥2.204 100：¥1.12984 1,000：¥0.84912 3,000：¥0.81896 9,000：¥0.70528 24,000：¥0.66004 48,000：¥0.5916 99,000：¥0.5684 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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