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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | J110,126 | 771-J110126 新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single "+/- 25V 80mA | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.7864 20,000：¥1.7052 50,000：¥1.682 | 最低： 10000 倍数： 10000 |  详细信息 |
 | AFT26H200W03SR6 | 841-AFT26H200W03SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz | 数据表 | 无库存 | 150：¥881.2752 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| BLP27M810Z | 771-BLP27M810Z新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP27M810/HVSON16/REEL 7" Q1/T | 无库存 | 1：¥222.5924 5：¥220.3188 10：¥205.2968 25：¥196.1212 100：¥175.3456 250：¥167.2256 500：¥159.1868 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | BF545A,215 | 771-BF545A-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 30V 10mA | 数据表 | 4286 有库存 | 1：¥5.9972 10：¥4.9416 100：¥3.19 1,000：¥2.552 3,000：¥2.1576 9,000：¥2.0764 24,000：¥1.9952 45,000：¥1.9604 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PH2226-110M | 937-PH2226-110M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥3,377.7924 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP 540FESD H6327 | 726-BFP540FESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5107 有库存 | 1：¥4.3964 10：¥3.5844 100：¥2.1924 1,000：¥1.6936 3,000：¥1.4384 9,000：¥1.3456 24,000：¥1.276 45,000：¥1.2412 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC241702FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC241702FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥563.1916 100：¥521.942 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTFB182503ELV1R0XTMA1 | 726-PTFB182503ELV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥751.0536 100：¥699.3292 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| MRF492 | 974-MRF492新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 9 有库存 | 1：¥546.0584 10：¥455.0448 25：¥409.538 50：¥364.0312 100：¥327.6304 200：¥254.8288 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2023-2-20 | 772-TGF2023-2-20新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| PXAC180602MDV1R500XUMA1 | 726-AC180602MDV1R500新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥218.5788 | 最低： 500 倍数： 500 | |
| PXAC203302FVV1R250XTMA1 | 726-AC203302FVV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥872.6216 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | 2729-125 | 494-2729-125新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 20：¥2,457.5412 25：¥2,423.8664 | 最低： 20 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF1K50H-TF2 | 841-MRF1K50H-TF2新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF2 | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥9,920.3548 5：¥9,813.7972 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
| CGHV27015S | 941-CGHV27015S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt | 数据表 | 215 有库存 | 1：¥256.5688 250：¥256.5688 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MS2210 | 494-MS2210新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,254.9704 5：¥2,188.688 10：¥2,051.7268 25：¥2,002.8792 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| A2T18S162W31GSR3 | 841-A2T18S162W31GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥758.7908 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | AFV10700HR5 | 771-AFV10700HR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz | 数据表 | 28 有库存 | 1：¥2,672.176 5：¥2,511.168 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | HFA3127BZ96 | 968-HFA3127BZ96新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MILEL | 数据表 | 无库存 | 2,500：¥33.3732 | 最低： 2500 倍数： 2500 | 详细信息 |
| A2T21H360-24SR6 | 841-A2T21H360-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,192.1436 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| AFT18H356-24SR6 | 841-AFT18H356-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,159.0024 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| PTFC260202FCV1R250XTMA1 | 726-PTFC260202FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥352.1992 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | MRFG35003N6AT1 | 841-MRFG35003N6AT1新产品 | NXP / Freescale | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 | 数据表 | 948 有库存 | 1：¥102.08 10：¥93.8208 25：¥89.7144 100：¥79.2512 250：¥70.8296 500：¥68.4864 1,000：¥62.7908 | 最低： 1 倍数： 1 |
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