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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BF904R,235 | 771-BF904R235 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | BFS17PE6327HTSA1 | 726-BFS17PE6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 17257 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF9045LR1 | 974-MRF9045LR1新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥591.5536 10：¥492.9652 25：¥443.6652 50：¥394.3768 100：¥354.9368 200：¥276.0568 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 420 H6327 | 726-BFP420H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 8740 有库存 | 1：¥3.19 10：¥2.6216 100：¥1.5892 1,000：¥1.2412 3,000：¥1.05444 9,000：¥0.97788 24,000：¥0.93264 48,000：¥0.9106 99,000：¥0.87232 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFS 17P E6327 | 726-BFS17PE6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 11473 有库存 | 1：¥3.19 10：¥2.0532 100：¥0.87928 1,000：¥0.67512 3,000：¥0.5162 9,000：¥0.45472 24,000：¥0.43268 48,000：¥0.37932 99,000：¥0.36424 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXFC192207FHV3R250XTMA1 | 726-PXFC192207FHV3R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥640.8536 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BFP405H6327XTSA1 | 726-BFP405H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 6060 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.5636 100：¥1.566 1,000：¥1.2064 3,000：¥1.03124 9,000：¥0.9628 24,000：¥0.9106 48,000：¥0.8874 99,000：¥0.85724 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| A2T18S165-12SR3 | 841-A2T18S165-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥629.474 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | TGF2040 | 772-TGF2040新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm | 数据表 | 无库存 | 100：¥50.286 300：¥46.9452 500：¥43.9176 1,000：¥41.0292 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PD85035-E | 511-PD85035-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥250.8848 5：¥248.298 10：¥231.3852 25：¥221.0032 100：¥197.6408 250：¥188.5348 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP6300HSR5 | 841-MRFE6VP6300HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 | 数据表 | 无库存 | 50：¥657.3836 100：¥611.3548 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF8P29300HR6 | 841-MRF8P29300HR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230 | 数据表 | 无库存 | 150：¥2,761.5192 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | BFP 640 H6327 | 726-BFP640H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2922 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.9464 100：¥1.798 1,000：¥1.392 3,000：¥1.1948 9,000：¥1.1078 24,000：¥1.04632 45,000：¥1.02428 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD84001 | 511-PD84001新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam | 数据表 | 2446 有库存 | 1：¥20.3232 10：¥17.2956 100：¥13.804 500：¥12.1336 1,000：¥10.0108 2,500：¥9.3264 5,000：¥9.0248 10,000：¥8.642 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFA091201EV4R0XTMA1 | 726-PTFA091201EV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥436.8444 100：¥404.84 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF157 | 937-MRF157新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,574.83 10：¥3,519.5444 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC5551AF-TD-E | 863-2SC5551AF-TD-E新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz | 数据表 | 1906 有库存 | 1：¥7.5052 10：¥6.3684 100：¥4.8952 500：¥4.3268 1,000：¥3.4104 2,000：¥3.0276 10,000：¥2.9232 25,000：¥2.8188 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SK3078A(TE12L,F) | 757-2SK3078ATE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS | 数据表 | 936 有库存 | 1：¥11.2984 10：¥9.106 100：¥6.9716 500：¥6.148 1,000：¥4.8488 2,000：¥4.3268 10,000：¥4.176 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1022HSR5 | 841-MMRF1022HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,477.4572 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTFC260362SCV1R250XTMA1 | 726-PTFC260362SCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AT-31033-TR1G | 630-AT-31033-TR1G新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6424 10：¥3.132 100：¥2.0648 1,000：¥1.5196 3,000：¥1.3108 9,000：¥1.2064 24,000：¥1.15304 45,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP6300HR3 | 841-MRFE6VP6300HR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 | 数据表 | 135 有库存 | 1：¥625.9128 5：¥607.7936 10：¥594.6624 25：¥569.7108 100：¥528.0088 250：¥495.2388 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SK3557-6-TB-E | 863-2SK3557-6-TB-E新产品 | ON Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER | 数据表 | 8329 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.32 100：¥1.2644 1,000：¥0.94772 3,000：¥0.812 9,000：¥0.7656 24,000：¥0.69716 45,000：¥0.67512 99,000：¥0.64496 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD20010TR-E | 511-PD20010TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann | 数据表 | 无库存 | 600：¥95.178 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
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