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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CGH40006S | 941-CGH40006S 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt | 数据表 | 333 有库存 | 1：¥223.8104 250：¥223.8104 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PD55015TR-E | 511-PD55015TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST | 数据表 | 无库存 | 1：¥154.8716 5：¥153.2708 10：¥142.8888 25：¥136.4392 100：¥122.032 250：¥116.4176 600：¥110.8032 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA043502ECV1R2XTMA1 | 726-PTVA043502ECV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 250：¥957.0348 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | AT-30533-TR1G | 630-AT-30533-TR1G新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6424 10：¥3.132 100：¥2.0648 1,000：¥1.5196 3,000：¥1.3108 9,000：¥1.2064 24,000：¥1.15304 45,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AGR21060EF | 974-AGR21060EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB | 无库存 | 10：¥716.6944 30：¥634.7868 50：¥573.3532 100：¥552.8792 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 | |
| MHT2000NR1 | 841-MHT2000NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥308.7456 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BFP 182W H6327 | 726-BFP182WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.958 10：¥2.0532 100：¥0.94772 1,000：¥0.72848 3,000：¥0.62176 9,000：¥0.5684 24,000：¥0.53128 48,000：¥0.47792 99,000：¥0.45472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBT2222A-G | 750-MMBT2222A-G新产品 | Comchip Technology | 射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA | 数据表 | 5434 有库存 | 1：¥1.972 10：¥1.2876 100：¥0.60668 1,000：¥0.37932 3,000：¥0.30392 24,000：¥0.22736 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBT2907A-G | 750-MMBT2907A-G新产品 | Comchip Technology | 射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA | 数据表 | 2158 有库存 | 1：¥1.8212 10：¥1.1832 100：¥0.53824 1,000：¥0.34104 3,000：¥0.25752 9,000：¥0.2204 24,000：¥0.20532 45,000：¥0.1972 99,000：¥0.16704 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T1G2028536-FS | 772-T1G2028536-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN | 数据表 | 25 有库存 | 1：¥3,852.708 25：¥3,550.644 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU520XRVL | 771-BFU520XRVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 4000 有库存 | 1：¥3.712 10：¥2.8768 100：¥1.5892 1,000：¥1.218 2,500：¥1.0614 10,000：¥0.986 25,000：¥0.9106 50,000：¥0.83404 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTAB182002TCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002TCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PTRA093608PV1V1R2HTMA1 | 726-PTRA093608PV1V1R新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 无库存 | 250：¥768.50 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
| PXAC192908FVV1XWSA1 | 726-PXAC192908FVV1X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 35：¥912.1428 105：¥866.4852 | 最低： 35 倍数： 35 | |
| NPT25100B | 937-NPT25100B新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,291.1148 10：¥1,243.2532 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6V10010NR4 | 841-MRF6V10010NR4新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5 | 数据表 | 99 有库存 | 1：¥503.73 5：¥489.0212 10：¥478.558 25：¥458.4552 100：¥424.8616 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD85015STR-E | 511-PD85015STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥154.8716 5：¥153.2708 10：¥142.8888 25：¥136.4392 100：¥122.032 250：¥116.4176 600：¥110.8032 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| ASMA601 | 974-ASMA601新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 50 Ohm | 无库存 | 1：¥531.8716 10：¥488.0352 25：¥437.9812 50：¥387.9272 100：¥324.22 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| ARF447G | 494-ARF447G新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 11 有库存 | 1：¥357.8948 2：¥348.1856 5：¥338.5576 10：¥328.918 25：¥305.6368 50：¥298.2012 100：¥284.9308 250：¥260.362 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF174 | 974-MRF174新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 12 有库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD1492 | 974-SD1492新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,853.4016 10：¥1,700.734 25：¥1,526.2932 50：¥1,351.864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFP 720F H6327 | 726-BFP720FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3135 有库存 | 1：¥3.8628 10：¥3.2132 100：¥1.9604 1,000：¥1.508 3,000：¥1.2876 9,000：¥1.1948 24,000：¥1.13796 45,000：¥1.11476 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| CGH27030S | 941-CGH27030S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 无库存 | 1：¥449.6624 250：¥449.6624 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8S9200NR3 | 841-MRF8S9200NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2 | 数据表 | 无库存 | 250：¥622.9548 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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