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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NSVF4015SG4T1G | 863-NSVF4015SG4T1G 新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |  详细信息 | |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MS1001 | 974-MS1001新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF3866 | 974-MRF3866新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 100 有库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.6884 25：¥25.7751 50：¥22.9437 100：¥20.5803 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF221 | 974-MRF221新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF5812LF-CP | 974-MRF5812LF-CP新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥184.7313 10：¥154.3698 25：¥138.762 50：¥123.1542 100：¥110.8458 200：¥86.2056 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD85035C | 511-PD85035C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans. LDMOST family | 数据表 | 无库存 | 1：¥520.7787 5：¥511.2081 10：¥498.0573 25：¥488.2644 100：¥452.4624 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB092707FHV1R250XTMA1 | 726-PTFB092707FHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥665.2737 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | 1214-220M | 494-1214-220M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,654.2152 5：¥2,487.5253 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
.JPG) | PD85006L-E | 511-PD85006L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic | 数据表 | 无库存 | 3,000：¥37.9431 | 最低： 3000 倍数： 3000 | 详细信息 |
 | AGR18125EF | 974-AGR18125EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB | 无库存 | 10：¥870.129 30：¥770.679 50：¥696.1032 100：¥671.2407 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 | |
 | AT-31011-TR1G | 630-AT-31011-TR1G新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.978 10：¥3.4281 100：¥2.2581 1,000：¥1.6614 3,000：¥1.4391 9,000：¥1.3104 24,000：¥1.2519 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF10031 | 937-MRF10031新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥886.1931 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | A2T18S165-12SR3 | 841-A2T18S165-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥634.9005 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PD20010TR-E | 511-PD20010TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann | 数据表 | 无库存 | 600：¥95.9985 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | MMRF5300NR5 | 841-MMRF5300NR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,636.4439 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | DME800 | 494-DME800新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥3,463.2936 | 最低： 25 倍数： 1 | |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 2SK3475TE12LF | 757-2SK3475TE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS | 数据表 | 923 有库存 | 1：¥17.3628 10：¥13.9932 100：¥11.1735 500：¥9.7929 1,000：¥8.1081 2,000：¥7.5465 5,000：¥7.2657 10,000：¥6.9849 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC261402FCV1R0XTMA1 | 726-PTFC261402FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥594.5121 100：¥553.5972 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | PXAC213308FVV1R2XTMA1 | 726-PXAC213308FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥812.9862 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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