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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SD57045-01 | 511-SD57045-01 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp | 数据表 | 无库存 | 50：¥541.0431 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | MS1336 | 494-MS1336新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 无库存 | 1：¥656.4051 5：¥636.5151 10：¥617.7717 25：¥579.1383 50：¥565.2972 100：¥552.1347 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF581A | 974-MRF581A新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 1304 有库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.7586 25：¥25.857 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | MRFX1K80H-27MHZ | 771-MRFX1K80H-27MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1800W - 27MHz | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8P20140WHSR3 | 841-MRF8P20140WHSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥696.8637 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | T1G4020036-FL | 772-T1G4020036-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | AGR19125EF | 974-AGR19125EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 24Watt Gain 15dB | 无库存 | 10：¥883.5138 30：¥782.5428 50：¥706.8087 100：¥681.5718 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 | |
 | CGHV40320D-GP4 | 941-CGHV40320D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | DSC5G03S0L | 667-DSC5G03S0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.6793 10：¥1.7433 100：¥0.819 500：¥0.6201 1,000：¥0.49725 3,000：¥0.38259 9,000：¥0.29835 24,000：¥0.27495 45,000：¥0.22932 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 0910-150M | 494-0910-150M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 10：¥2,514.8331 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AGR19180EF | 974-AGR19180EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB | 无库存 | 1：¥1,170.3627 5：¥1,073.9898 10：¥963.8343 25：¥853.6788 50：¥771.0651 100：¥743.5233 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | ARF461AG | 494-ARF461AG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥335.5092 2：¥326.4066 5：¥317.3742 10：¥308.2716 25：¥286.5447 50：¥279.513 100：¥267.1227 250：¥244.0971 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | 726-BFR840L3RHESDE63新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 2047 有库存 | 1：¥4.6683 10：¥3.861 100：¥2.3517 1,000：¥1.8135 2,500：¥1.5561 10,000：¥1.4508 15,000：¥1.3689 45,000：¥1.3338 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ATF-52189-TR1 | 630-ATF-52189-TR1新产品 | Broadcom / Avago | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Linearity | 数据表 | 无库存 | 1：¥41.535 10：¥35.3457 100：¥30.5955 250：¥29.0628 500：¥26.0793 1,000：¥21.9492 3,000：¥20.8845 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU530XAR | 771-BFU530XAR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 2544 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.5974 100：¥1.6029 1,000：¥1.2285 3,000：¥1.07055 9,000：¥0.9945 24,000：¥0.91845 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLV34 | 974-BLV34新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥665.5077 10：¥554.5917 25：¥499.122 50：¥443.664 100：¥399.2976 200：¥310.5648 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRFE6VP61K25GSR5 | 841-MRFE6VP61K25GSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230GS | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,980.3654 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFS 481 H6327 | 726-BFS481H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 7141 有库存 | 1：¥4.9725 10：¥4.095 100：¥2.6442 1,000：¥2.1177 3,000：¥1.7901 9,000：¥1.7199 24,000：¥1.6497 48,000：¥1.6263 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TAN250A | 494-TAN250A新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 25 有库存 | 1：¥2,340.9594 2：¥2,284.659 5：¥2,251.1619 10：¥2,219.3379 25：¥2,188.8945 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | VRF150MP | 494-VRF150MP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 1：¥725.7861 2：¥703.2168 5：¥702.9828 10：¥680.3433 25：¥654.7203 50：¥645.84 100：¥591.6105 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC182002FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC182002FCV1R0新产品 | Infineon / IR | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥605.6037 100：¥563.9166 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTFB090901EAV2R250XTMA1 | 726-PTFB090901EAV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥292.3596 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |
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