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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CGH40045F | 941-CGH40045F 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt | 数据表 | 62 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | PXAC201202FCV2XWSA1 | 726-PXAC201202FCV2XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥483.488 100：¥448.0732 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | T1G4012036-FS | 772-T1G4012036-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| DSA3G0100L | 667-DSA3G0100L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 1.2x1.2mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | CGHV1F025S | 941-CGHV1F025S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MRF134 | 937-MRF134新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB | 数据表 | 122 有库存 | 1：¥238.7512 10：¥220.7712 25：¥211.8276 50：¥202.8724 100：¥188.5348 250：¥173.072 500：¥164.7316 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF7S15100HSR3 | 841-MRF7S15100HSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S | 数据表 | 无库存 | 250：¥819.54 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRFE6S9125NR1 | 841-MRFE6S9125NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W | 数据表 | 无库存 | 500：¥480.9824 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | T2G4005528-FS | 772-T2G4005528-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,618.4436 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BLP05H6110XRY | 771-BLP05H6110XRY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥543.7732 5：¥533.7624 10：¥519.97 25：¥509.7272 100：¥472.41 200：¥452.0056 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| PXFC191507FCV1XWSA1 | 726-PXFC191507FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | A2T18H160-24SR3 | 841-A2T18H160-24SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 28 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥684.3884 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | 1214-30 | 494-1214-30新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 9 有库存 | 1：¥1,987.7064 2：¥1,939.9376 5：¥1,911.564 10：¥1,884.4896 25：¥1,858.6332 50：¥1,731.2188 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF5812LF-CP | 974-MRF5812LF-CP新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥109.8984 200：¥85.4688 | 最低： 100 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TP9383 | 974-TP9383新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥564.108 10：¥517.6152 25：¥464.522 50：¥411.4404 100：¥371.6176 200：¥358.3472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| CE3520K3 | 551-CE3520K3新产品 | CEL | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C | 数据表 | 458 有库存 | 1：¥15.6948 10：¥12.2844 100：¥9.86 500：¥7.888 1,000：¥6.7744 2,500：¥6.4032 5,000：¥6.1712 10,000：¥6.032 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| A2T18S160W31SR3 | 841-A2T18S160W31SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,145.268 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MMBFJ310 | 512-MMBFJ310新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 10092 有库存 | 1：¥2.6564 10：¥2.03 100：¥1.09968 1,000：¥0.82708 3,000：¥0.7134 9,000：¥0.667 24,000：¥0.60668 45,000：¥0.58348 99,000：¥0.56144 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB211503FLV2R250XTMA1 | 726-PTFB211503FLV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥507.6044 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | TGF2929-FL | 772-TGF2929-FL新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN | 数据表 | 21 有库存 | 1：¥2,844.03 25：¥2,566.7552 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZR18N50A-00 | 747-IXZR18N50A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500V 18A RF MOSFET, with ISOPLUS-247A package assembly | 数据表 | 27 有库存 | 1：¥469.1504 5：¥451.704 10：¥441.5424 25：¥414.0156 50：¥400.2928 100：¥394.748 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU520WX | 771-BFU520WX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 7370 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.726 100：¥1.6704 1,000：¥1.2876 3,000：¥1.13796 9,000：¥1.0614 24,000：¥0.986 99,000：¥0.9106 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2N6439 | 974-2N6439新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 5 有库存 | 1：¥659.8196 10：¥549.8516 25：¥494.856 50：¥439.872 100：¥395.8848 200：¥307.9104 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF861B,235 | 771-BF861B235新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single "+/- 25V 15mA | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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