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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLF2425M7LS250P,11 | 771-BLF2425M7LS250P 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 13dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,348.9047 | 最低： 60 倍数： 60 |  详细信息 |
 | BFU630F,115 | 771-BFU630F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz | 数据表 | 6045 有库存 | 1：¥4.3641 10：¥3.5568 100：¥2.1762 1,000：¥1.6731 3,000：¥1.4274 9,000：¥1.3338 24,000：¥1.2636 45,000：¥1.2285 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | LET9045TR | 511-LET9045TR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package | 数据表 | 无库存 | 600：¥236.5974 | 最低： 600 倍数： 600 | |
 | PD20015-E | 511-PD20015-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family | 数据表 | 385 有库存 | 1：¥179.2323 5：¥177.3954 10：¥165.3093 25：¥157.8798 100：¥141.2073 250：¥134.7021 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFY650B11ESB4SA1 | 726-BFY650B11ESB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFP 620 H7764 | 726-BFP620H7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 9504 有库存 | 1：¥4.2822 10：¥3.5451 100：¥2.1528 1,000：¥1.6731 3,000：¥1.4274 9,000：¥1.3221 24,000：¥1.2519 45,000：¥1.2285 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | J108,126 | 771-J108126新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single "+/- 25V 80mA | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.2065 10：¥4.2705 100：¥2.7495 1,000：¥2.1996 2,500：¥1.872 10,000：¥1.8018 20,000：¥1.7199 50,000：¥1.6965 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1315NR1 | 841-MMRF1315NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband RF Power LDMOS Transistor, 500-1000 MHz, 60 W CW, 28 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥295.4952 5：¥280.5075 10：¥275.6871 25：¥249.912 100：¥239.4288 250：¥221.2236 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR193FH6327XTSA1 | 726-BFR193FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1124 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.2581 100：¥1.03311 1,000：¥0.7956 3,000：¥0.68094 9,000：¥0.6201 24,000：¥0.58149 48,000：¥0.52065 99,000：¥0.49725 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STAC4932F | 511-STAC4932F新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch | 数据表 | 无库存 | 1：¥914.8698 5：¥898.1271 10：¥857.6568 25：¥829.1205 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | ARF463AP1G | 494-ARF463AP1G新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 31 有库存 | 1：¥275.7573 5：¥263.367 10：¥255.1068 25：¥234.4563 50：¥227.4129 100：¥216.6372 250：¥199.0404 500：¥183.3624 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP5300GNR1 | 841-MRFE6VP5300GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥556.9551 5：¥540.7389 10：¥529.1091 25：¥506.9259 100：¥469.755 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| LET9045STR | 511-LET9045STR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package | 数据表 | 无库存 | 600：¥236.5974 | 最低： 600 倍数： 600 | |
 | PTFC260202FCV1R250XTMA1 | 726-PTFC260202FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥355.2354 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | MRF150MP | 937-MRF150MP新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors | 数据表 | 38 有库存 | 1：¥800.4438 10：¥776.9502 25：¥753.3162 50：¥729.8343 100：¥706.2705 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBFJ310 | 512-MMBFJ310新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 10467 有库存 | 1：¥2.6793 10：¥2.0475 100：¥1.10916 1,000：¥0.83421 3,000：¥0.71955 9,000：¥0.67275 24,000：¥0.61191 45,000：¥0.58851 99,000：¥0.56628 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLP05H635XRY | 771-BLP05H635XRY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥383.6196 5：¥375.0552 10：¥360.4419 25：¥348.8121 100：¥323.271 200：¥313.9344 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PXAC201602FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC201602FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥567.9765 100：¥526.4415 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | QPD1025L | 772-QPD1025L新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V | 数据表 | 18 有库存 | 1：¥6,142.5117 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MAPRST1214-6UF | 937-MAPRST1214-6UF新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 6W Gain: 8.75dB | 数据表 | 无库存 | 10：¥1,272.9483 25：¥1,172.4336 50：¥891.0837 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2929-HM | 772-TGF2929-HM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN | 数据表 | 25 有库存 | 25：¥2,588.8824 | 最低： 25 倍数： 25 | 详细信息 |
 | BF510,215 | 771-BF510215新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 2780 有库存 | 1：¥6.3531 10：¥5.2182 100：¥3.3696 1,000：¥2.691 3,000：¥2.2815 9,000：¥2.1996 24,000：¥2.106 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXFC192207FHV3R0XTMA1 | 726-PXFC192207FHV3R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥757.5282 100：¥705.3579 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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