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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TH430 | 974-TH430 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 251 有库存 | 1：¥633.9879 10：¥581.7357 25：¥522.0774 50：¥462.4074 100：¥417.6549 200：¥402.7491 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MMRF1019NR4 | 841-MMRF1019NR4新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V | 数据表 | 100 有库存 | 1：¥584.2629 5：¥567.2043 10：¥555.048 25：¥531.7884 100：¥492.7806 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB211503ELV1R0XTMA1 | 726-PTFB211503ELV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥600.0228 100：¥558.7218 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 475-102N21A-00 | 747-475-102N21A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-475 21A 1000V N Channel MOSFET | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥251.5851 5：¥244.0971 10：¥228.7233 25：¥211.5828 50：¥207.4527 100：¥194.454 250：¥177.0093 500：¥165.8358 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NESG2101M05-EVPW24-A | 551-NESG2101M05-EVPW新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,051.8066 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PTFB181702FCV1R0XTMA1 | 726-PTFB181702FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥589.4694 100：¥548.847 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PH2731-75L | 937-PH2731-75L新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,811.1824 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | CGHV35400F | 941-CGHV35400F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | A2T26H300-24SR6 | 841-A2T26H300-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2496-2690 MHz, 60 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,002.1518 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| MW6S010GNR1 | 841-MW6S010GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W | 数据表 | 无库存 | 500：¥106.7157 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | TGF2021-04-SD T/R | 772-TGF2021-04-SDT/R新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 5Volts | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥42.3774 | 最低： 1000 倍数： 1000 | 详细信息 |
 | PD85015-E | 511-PD85015-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 388 有库存 | 1：¥156.2067 5：¥154.5921 10：¥144.1206 25：¥137.6154 100：¥123.084 250：¥117.4212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 150-102N02A-00 | 747-150-102N02A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-150 1000V 2A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 40 有库存 | 1：¥259.0146 5：¥251.2107 10：¥235.4508 25：¥217.7838 50：¥213.5718 100：¥200.1051 250：¥182.2158 500：¥170.7381 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP405H6327XTSA1 | 726-BFP405H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 6090 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.5857 100：¥1.5795 1,000：¥1.2168 3,000：¥1.04013 9,000：¥0.9711 24,000：¥0.91845 48,000：¥0.89505 99,000：¥0.86463 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFY450 (P) | 726-BFY450P新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HiRel NPN Silicon RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFT18S230-12NR3 | 841-AFT18S230-12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805--1880 MHz, 50 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥843.7338 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MMBTH24 | 512-MMBTH24新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 22419 有库存 | 1：¥2.1411 10：¥1.4274 100：¥0.5967 1,000：¥0.40599 3,000：¥0.32175 9,000：¥0.27495 24,000：¥0.25974 45,000：¥0.24453 99,000：¥0.20709 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFT27S010NT1 | 841-AFT27S010NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-2.8MHz 45W | 数据表 | 950 有库存 | 1：¥123.0021 10：¥113.0571 25：¥108.0846 100：¥95.5422 250：¥85.293 500：¥82.4616 1,000：¥75.6522 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF177 | 937-MRF177新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB | 数据表 | 22 有库存 | 1：¥505.2411 10：¥475.488 25：¥460.5705 50：¥445.7349 100：¥424.9323 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC5108-Y,LF | 757-2SC5108-YLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 1887 有库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.3751 100：¥1.3806 1,000：¥0.9945 3,000：¥0.84123 24,000：¥0.76518 45,000：¥0.68796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLA6G1011L-200RG,1 | 771-BLA6G1011L200RG1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,096.3358 5：¥2,045.9205 10：¥1,995.0606 25：¥1,967.1327 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 450 H6327 | 726-BFP450H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 4687 有库存 | 1：¥4.2822 10：¥3.5568 100：¥2.2932 1,000：¥1.8369 3,000：¥1.5561 9,000：¥1.4976 24,000：¥1.4391 45,000：¥1.4157 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57030S-E | 511-PD57030S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 400：¥261.1557 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
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