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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BF904WR,135 | 771-BF904WR135 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.2051 20,000：¥1.14777 50,000：¥1.12437 | 最低： 10000 倍数： 10000 |  详细信息 |
 | A2T18S261W12NR3 | 841-A2T18S261W12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥506.0835 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | MAGX-000040-0050TP | 937-MAGX-0040-50TP新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC | 数据表 | 无库存 | 500：¥196.209 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | A2T20H330W24SR6 | 841-A2T20H330W24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 58 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,113.4539 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | TGF2023-2-01 | 772-TGF2023-2-01新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB | 数据表 | 100 有库存 | 50：¥231.6249 100：¥200.3391 250：¥188.3349 500：¥177.0093 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTVA127002EVV1R0XTMA1 | 726-PTVA127002EVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,784.4342 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF141G | 974-MRF141G新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,445.2893 10：¥1,397.097 25：¥1,348.9047 50：¥1,300.7943 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF150 | 937-MRF150新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB | 数据表 | 100 有库存 | 1：¥375.0552 10：¥350.649 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6V12500HSR5 | 841-MRF6V12500HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,829.9141 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRFE6VP5150NR1 | 841-MRFE6VP5150NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | 数据表 | 883 有库存 | 1：¥278.5887 5：¥264.5136 10：¥260.0091 25：¥235.6848 100：¥225.7398 250：¥208.5993 500：¥201.0294 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PH1090-175L | 937-PH1090-175L新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥1,827.6804 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD55025TR-E | 511-PD55025TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel | 数据表 | 无库存 | 1：¥219.0825 5：¥216.8595 10：¥202.0941 25：¥192.9915 100：¥172.575 250：¥164.619 600：¥156.7332 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1105WR,135 | 771-BF1105WR135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥0.93366 20,000：¥0.88686 50,000：¥0.86463 100,000：¥0.83421 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | RFM12U7X(TE12L,Q) | 757-RFM12U7XTE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V | 数据表 | 无库存 | 1：¥69.8373 10：¥62.8758 25：¥57.2949 100：¥51.714 250：¥47.502 500：¥43.3017 1,000：¥37.7091 2,000：¥36.3402 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G22LS-450AVY | 771-BLC8G22LS-450AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,159.8093 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | CGH55015F1 | 941-CGH55015F1新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt | 数据表 | 58 有库存 | 1：¥520.3107 10：¥492.2424 25：¥478.2492 50：¥471.2058 100：¥467.6841 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZ210N50L2 | 747-IXZ210N50L2新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ210N50L2 10A 500V N Channel ZMOS Linear MOSFET | 数据表 | 无库存 | 1：¥178.9983 5：¥173.6397 10：¥162.7821 25：¥150.5439 50：¥147.6306 100：¥138.3759 250：¥125.9154 500：¥118.0296 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP420H6327XTSA1 | 726-BFP420H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.6442 100：¥1.6029 1,000：¥1.2519 3,000：¥1.06353 9,000：¥0.98631 24,000：¥0.94068 48,000：¥0.91845 99,000：¥0.87984 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH40090PP | 941-CGH40090PP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt | 数据表 | 28 有库存 | 1：¥2,428.8615 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH60030D-GP4 | 941-CGH60030D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 250 有库存 | 10：¥574.7859 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-100AVZ | 771-BLC8G27LS-100AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥613.3374 5：¥602.0937 10：¥575.0082 25：¥555.8085 100：¥517.5612 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57018-E | 511-PD57018-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 119 有库存 | 1：¥247.923 5：¥245.3139 10：¥228.6414 25：¥218.3922 100：¥195.2964 250：¥186.264 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF141 | 974-MRF141新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥568.971 10：¥522.0774 25：¥468.5265 50：¥414.9873 100：¥374.8212 200：¥361.4364 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC5086-O,LF | 757-2SC5086-OLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.0709 100：¥1.15479 1,000：¥0.84123 3,000：¥0.72657 9,000：¥0.68094 24,000：¥0.62712 45,000：¥0.60489 99,000：¥0.58149 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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