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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | LET9060C | 511-LET9060C 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 60W 18 dB 945MHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | PTFA220121MV4R1KXUMA1 | 726-PTFA220121MV4R1K新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥68.1525 | 最低： 1000 倍数： 1000 | 详细信息 |
 | A2T18S260-12SR3 | 841-A2T18S260-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥770.3046 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BLF6G13LS-250PGJ | 771-BLF6G13LS-250PGJ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,426.1598 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MMRF1013HSR5 | 841-MMRF1013HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,603.0394 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF134 | 937-MRF134新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB | 数据表 | 144 有库存 | 1：¥240.8094 10：¥222.6744 25：¥213.6537 50：¥204.6213 100：¥190.1601 250：¥174.564 500：¥166.1517 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MS1000 | 974-MS1000新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | ARF1500 | 494-ARF1500新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 8 有库存 | 1：¥1,379.8863 2：¥1,346.6817 5：¥1,327.0257 10：¥1,308.2121 25：¥1,290.3111 50：¥1,201.8123 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF3015-SM | 772-TGF3015-SM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | AFT05MS006NT1 | 841-AFT05MS006NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V | 数据表 | 1017 有库存 | 1：¥26.1612 10：¥23.9382 25：¥21.7971 100：¥19.5858 250：¥17.9712 500：¥16.3683 1,000：¥14.6835 2,000：¥14.3793 5,000：¥13.6188 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2953 | 772-TGF2953新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm | 数据表 | 200 有库存 | 50：¥335.8134 100：¥290.4525 250：¥273.0078 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF6VP3450HSR5 | 841-MRF6VP3450HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,297.3428 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MT3S111P(TE12L,F) | 757-MT3S111PTE12LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PTRA094252FCV1R2XTMA1 | 726-PTRA094252FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥660.5352 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PTRA093302FCV1R2XTMA1 | 726-PTRA093302FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 250：¥602.8542 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | AFT09S200W02GNR3 | 841-AFT09S200W02GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥647.3727 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | STAC2932FW | 511-STAC2932FW新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch | 数据表 | 无库存 | 1：¥673.1478 5：¥660.8394 10：¥631.0863 25：¥610.0497 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP 183W H6327 | 726-BFP183WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 11972 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.4219 100：¥1.11735 1,000：¥0.85644 3,000：¥0.73476 9,000：¥0.66573 24,000：¥0.62712 48,000：¥0.55809 99,000：¥0.53586 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | RFM03U3CT(TE12L) | 757-RFM03U3CTTE12L新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2.5A 7W 16V | 数据表 | 无库存 | 1：¥46.9638 10：¥37.7091 100：¥34.3512 250：¥31.0518 500：¥27.846 1,000：¥23.4819 3,000：¥22.3353 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MAPRST0912-50 | 937-MAPRST0912-50新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min | 数据表 | 18 有库存 | 1：¥2,477.5101 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 640FESD H6327 | 726-BFP640FESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BI | 数据表 | 5024 有库存 | 1：¥4.2822 10：¥3.5217 100：¥2.1528 1,000：¥1.6614 3,000：¥1.4157 9,000：¥1.3104 24,000：¥1.2519 45,000：¥1.2285 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD1480 | 974-SD1480新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 11 有库存 | 1：¥585.1872 10：¥536.9949 25：¥481.9113 50：¥426.8394 100：¥385.5384 200：¥371.7675 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP720H6327XTSA1 | 726-BFP720H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5855 有库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3345 100：¥2.0358 1,000：¥1.5795 3,000：¥1.3455 9,000：¥1.2519 24,000：¥1.1817 45,000：¥1.15479 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF999E6327HTSA1 | 726-BF999E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.8197 100：¥1.7199 1,000：¥1.3338 3,000：¥1.13256 9,000：¥1.05534 24,000：¥1.00152 48,000：¥0.97929 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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