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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF6V2010GNR1 | 841-MRF6V2010GNR1 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN | 数据表 | 无库存 | 最低： 500 倍数： 500 |  详细信息 | |
 | PXAC182002FCV2R2XTMA1 | 726-PXAC182002FCV2R2新产品 | Infineon / IR | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | AGR21030EF | 974-AGR21030EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 7Watt Gain 14.5dB | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | ||
 | IXZ318N50 | 747-IXZ318N50新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ318N50 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET | 数据表 | 55 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PXAC210552NDV1R5XUMA1 | 726-PXAC210552NDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 | |
 | CGHV40100F | 941-CGHV40100F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt | 数据表 | 74 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PD84008-E | 511-PD84008-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann | 数据表 | 无库存 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 | |
 | AFT09MS015NT1 | 841-AFT09MS015NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-94 MHz 16W 12.5V | 数据表 | 877 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 2SC5086-Y,LF | 757-2SC5086-YLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 5597 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF10120 | 937-MRF10120新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | PD85006-E | 511-PD85006-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BF556A,215 | 771-BF556A-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 4239 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | CGHV35060MP | 941-CGHV35060MP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | AFT20P140-4WGNR3 | 841-AFT20P140-4WGNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | MMRF1310HSR5 | 841-MMRF1310HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | AFT20P060-4NR3 | 841-AFT20P060-4NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | DSA7506R0L | 667-DSA7506R0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 4.5x4.0mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRFE6VP6600NR3 | 841-MRFE6VP6600NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | PD84010TR-E | 511-PD84010TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 600 倍数： 600 | ||
| AFT18H357-24SR6 | 841-AFT18H357-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 | |
 | MRF1K50NR5 | 841-MRF1K50NR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V | 数据表 | 100 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | 1214-370M | 494-1214-370M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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