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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | J110,126 | 771-J110126 新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single "+/- 25V 80mA | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.8018 20,000：¥1.7199 50,000：¥1.6965 | 最低： 10000 倍数： 10000 |  详细信息 |
 | ATF-50189-TR1 | 630-ATF-50189-TR1新产品 | Broadcom / Avago | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Linearity | 数据表 | 无库存 | 1：¥45.6651 10：¥41.8392 25：¥39.8502 100：¥34.6554 250：¥33.0408 500：¥30.1392 1,000：¥26.2431 3,000：¥25.3188 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | DME375A | 494-DME375A新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,088.9882 2：¥2,038.7367 5：¥2,008.8198 10：¥1,980.4473 25：¥1,953.2916 50：¥1,819.35 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PTVA123501FCV1R0XTMA1 | 726-PTVA123501FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,639.6721 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | ASMA203 | 974-ASMA203新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 50 Ohm | 无库存 | 1：¥812.7522 10：¥745.8282 25：¥669.3336 50：¥592.839 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PD57045TR-E | 511-PD57045TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥396.396 5：¥387.5976 10：¥369.8487 25：¥354.3228 100：¥321.1299 250：¥310.0383 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRFE6VP6300HR3 | 841-MRFE6VP6300HR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 | 数据表 | 158 有库存 | 1：¥631.3086 5：¥613.0332 10：¥599.7888 25：¥574.6221 100：¥532.5606 250：¥499.5081 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55003S-E | 511-PD55003S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥96.0804 10：¥88.3467 25：¥84.6846 100：¥74.5875 250：¥70.9137 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8HP21080HR3 | 841-MRF8HP21080HR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥384.0057 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PXFC212551SCV1R250XTMA1 | 726-FC212551SCV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | SS9018HBU | 512-SS9018HBU新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA | 数据表 | 16498 有库存 | 1：¥1.6029 10：¥1.4625 100：¥0.52065 1,000：¥0.34398 2,000：¥0.26793 10,000：¥0.22932 25,000：¥0.20709 50,000：¥0.18369 100,000：¥0.15327 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU910FX | 771-BFU910FX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon germanium RF trans | 数据表 | 5258 有库存 | 1：¥2.9016 10：¥2.3283 100：¥1.1934 1,000：¥0.89505 3,000：¥0.60489 9,000：¥0.53586 24,000：¥0.50544 45,000：¥0.44343 99,000：¥0.40599 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD1446 | 974-SD1446新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 1 有库存 | 1：¥550.7658 10：¥458.9676 25：¥413.0685 50：¥367.1694 100：¥330.4548 200：¥257.0256 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BF904R,215 | 771-BF904R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.4281 100：¥2.0826 1,000：¥1.6146 3,000：¥1.3806 9,000：¥1.287 24,000：¥1.2168 45,000：¥1.1817 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP8600HR5 | 841-MRFE6VP8600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V | 数据表 | 166 有库存 | 1：¥2,135.7999 5：¥2,088.1458 10：¥2,045.394 25：¥2,015.2548 50：¥1,942.0479 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA082407NFV1R5XUMA1 | 726-PTVA082407NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥392.7222 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | PD85015STR-E | 511-PD85015STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥156.2067 5：¥154.5921 10：¥144.1206 25：¥137.6154 100：¥123.084 250：¥117.4212 600：¥111.7584 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SK3557-6-TB-E | 863-2SK3557-6-TB-E新产品 | ON Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER | 数据表 | 10042 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.34 100：¥1.2753 1,000：¥0.95589 3,000：¥0.819 9,000：¥0.7722 24,000：¥0.70317 45,000：¥0.68094 99,000：¥0.65052 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTAC240502FCV1XWSA1 | 726-PTAC240502FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRFE6VP6600GNR3 | 841-MRFE6VP6600GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥717.21 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFS 17S H6327 | 726-BFS17SH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3465 有库存 | 1：¥3.8259 10：¥2.8665 100：¥1.5561 1,000：¥1.16298 3,000：¥1.00152 9,000：¥0.94068 24,000：¥0.86463 48,000：¥0.83421 99,000：¥0.7956 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STAC3932F | 511-STAC3932F新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack | 数据表 | 无库存 | 80：¥720.9657 | 最低： 80 倍数： 80 | 详细信息 |
 | AFT18H357-24NR6 | 841-AFT18H357-24NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥896.0562 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
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