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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AFT21S220W02GSR3 | 841-AFT21S220W02GSR3 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 50 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥991.0602 | 最低： 250 倍数： 250 |  详细信息 |
 | JTDB75 | 494-JTDB75新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥1,824.6969 50：¥1,699.5537 | 最低： 25 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFA092201F V4 R250 | 726-PTFA092201FV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| TAN500 | 494-TAN500新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 25：¥3,636.243 | 最低： 25 倍数： 1 | ||
 | TP9383 | 974-TP9383新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥568.971 10：¥522.0774 25：¥468.5265 50：¥414.9873 100：¥374.8212 200：¥361.4364 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AGR09180EF | 974-AGR09180EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-895MHz 38Watt Gain 18.25dB | 无库存 | 1：¥1,056.6153 5：¥969.5673 10：¥870.129 25：¥770.679 50：¥696.1032 100：¥671.2407 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BLV10 | 974-BLV10新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥481.9113 10：¥401.6025 25：¥361.4364 50：¥321.282 100：¥289.1538 200：¥224.8974 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BLC8G20LS-310AVZ | 771-BLC8G20LS-310AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ACP Pad for base station | 数据表 | 无库存 | 60：¥878.9976 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MS1008MP | 974-MS1008MP新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 TRANSISTOR | 无库存 | 10：¥1,223.1531 | 最低： 10 倍数： 1 | ||
 | VRF141 | 494-VRF141新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥420.5682 2：¥409.1724 5：¥397.8468 10：¥386.451 25：¥359.1432 50：¥350.4267 100：¥334.8189 250：¥305.9784 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2N5952 | 610-2N5952新产品 | Central Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NPN RF Amp | 数据表 | 无库存 | 1：¥8.7165 10：¥7.1136 100：¥5.9319 500：¥4.5747 1,000：¥4.1301 2,000：¥3.6621 10,000：¥3.5217 24,000：¥3.4164 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP 640ESD H6327 | 726-BFP640ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 5277 有库存 | 1：¥4.4343 10：¥3.627 100：¥2.2113 1,000：¥1.7082 3,000：¥1.4625 9,000：¥1.3572 24,000：¥1.287 45,000：¥1.2519 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | MMRF1312HR5 | 841-MMRF1312HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥4,170.0321 5：¥4,105.9278 10：¥4,044.807 25：¥3,957.525 50：¥3,896.7084 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | J211-D74Z | 512-J211_D74Z新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 10414 有库存 | 1：¥3.744 10：¥2.5974 100：¥1.1934 1,000：¥0.91845 2,000：¥0.78039 10,000：¥0.71136 24,000：¥0.66573 50,000：¥0.5967 100,000：¥0.5733 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | RFM04U6P(TE12L,F) | 757-RFM04U6PTE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V | 数据表 | 685 有库存 | 1：¥23.4819 10：¥18.9657 100：¥15.1515 500：¥13.3146 1,000：¥11.0097 2,000：¥10.2492 5,000：¥9.8631 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 360F H6327 | 726-BFR360FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.0709 100：¥0.95589 1,000：¥0.73476 3,000：¥0.62712 9,000：¥0.56628 24,000：¥0.53586 48,000：¥0.48204 99,000：¥0.45864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTAC210802FCV1R0XTMA1 | 726-PTAC210802FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥423.3996 100：¥392.418 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | DSA2G01B0L | 667-DSA2G01B0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing | 数据表 | 2880 有库存 | 1：¥2.5272 10：¥1.6497 100：¥0.78039 500：¥0.58851 1,000：¥0.47385 3,000：¥0.35217 9,000：¥0.28314 24,000：¥0.26793 45,000：¥0.21411 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55015STR-E | 511-PD55015STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 600：¥111.7584 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | BFP 640F H6327 | 726-BFP640FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1046 有库存 | 1：¥3.5217 10：¥2.8899 100：¥1.755 1,000：¥1.3572 3,000：¥1.16298 9,000：¥1.08576 24,000：¥1.02492 45,000：¥1.00152 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | LET9180 | 511-LET9180新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180W 32V Wideband LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,452.9411 5：¥1,417.9815 10：¥1,382.7879 25：¥1,363.4361 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PH1516-60 | 937-PH1516-60新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 无库存 | 10：¥2,389.7718 | 最低： 10 倍数： 1 |
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