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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
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 | PH3135-5S | 937-PH3135-5S 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,608.8319 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | CGH40120P | 941-CGH40120P新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt | 数据表 | 无库存 | 250：¥2,316.6351 | 最低： 250 倍数： 250 |  详细信息 |
 | PTFB092707FHV1R0XTMA1 | 726-PTFB092707FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | MRF6V2150NR1 | 841-MRF6V2150NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W | 数据表 | 258 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | MT3S111(TE85L,F) | 757-MT3S111TE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MRF151A | 937-MRF151A新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 16 有库存 | 1：¥569.5794 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBFJ211 | 512-MMBFJ211新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 8836 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PD55008TR-E | 511-PD55008TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥120.1707 10：¥110.4597 25：¥105.8733 100：¥93.3192 250：¥88.7328 600：¥82.9998 1,200：¥76.1085 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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