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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLV11 | 974-BLV11 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥568.806 10：¥474.0108 25：¥426.6016 50：¥379.204 100：¥341.2836 200：¥265.4428 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BLX98 | 974-BLX98新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥659.8196 10：¥549.8516 25：¥494.856 50：¥439.872 100：¥395.8848 200：¥307.9104 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BLC9G20LS-240PVZ | 771-BLC9G20LS-240PVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥836.6732 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | 150-101N09A-00 | 747-150-101N09A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-150 100V 9A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 50 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | TGF2935 | 772-TGF2935新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 5Watt NF 1.3dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50：¥179.974 100：¥159.036 250：¥147.8884 500：¥137.576 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFS 481 H6327 | 726-BFS481H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 121 有库存 | 1：¥4.93 10：¥4.06 100：¥2.6216 1,000：¥2.0996 3,000：¥1.7748 9,000：¥1.7052 24,000：¥1.6356 48,000：¥1.6124 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| A2I25H060NR1 | 841-A2I25H060NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥402.0328 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | A2T18S260W12NR3 | 841-A2T18S260W12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,351.4116 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| PTMA210152MV1R500AUMA1 | 726-PTMA210152MV1R50新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD IC | 数据表 | 无库存 | 500：¥176.9348 | 最低： 500 倍数： 500 | |
| BFY740B01ESB4SA1 | 726-BFY740B01ESB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLF378 | 974-BLF378新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,095.8984 10：¥1,005.6504 25：¥902.5032 50：¥799.3676 100：¥722.0072 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| VRF151MP | 494-VRF151MP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 9 有库存 | 1：¥736.1824 2：¥713.3536 5：¥713.1332 10：¥690.1536 25：¥664.1348 50：¥655.11 100：¥600.126 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLM8G0710S-15PBY | 771-BLM8G0710S-15PBY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC | 数据表 | 无库存 | 1：¥264.306 5：¥261.58 10：¥243.832 25：¥232.8352 100：¥208.1852 200：¥198.6268 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| MMRF1006HR5 | 841-MMRF1006HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,235.6692 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF10502 | 937-MRF10502新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB | 数据表 | 24 有库存 | 1：¥2,273.484 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SKY65050-372LF | 873-SKY65050-372LF新产品 | Skyworks Solutions, Inc. | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz | 数据表 | 5755 有库存 | 1：¥14.2564 10：¥12.818 25：¥11.2288 100：¥10.3124 250：¥9.106 500：¥8.4912 1,000：¥6.844 3,000：¥6.5656 6,000：¥6.4032 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT20P060-4NR3 | 841-AFT20P060-4NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥226.9192 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | TGF2934 | 772-TGF2934新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50：¥389.296 100：¥343.94 250：¥319.8932 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTFC260202FCV1R0XTMA1 | 726-PTFC260202FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥391.3376 100：¥362.674 250：¥352.1992 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| MAPRST0912-50 | 937-MAPRST0912-50新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min | 数据表 | 18 有库存 | 1：¥2,456.3348 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB183408SVV1R250XTMA1 | 726-PTFB183408SVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BF1206,115 | 771-BF1206115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.9972 10：¥4.9416 100：¥3.19 1,000：¥2.552 3,000：¥2.1576 9,000：¥2.0764 24,000：¥1.9952 45,000：¥1.9604 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD57045-01 | 511-SD57045-01新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp | 数据表 | 无库存 | 50：¥536.4188 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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