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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DME500 | 494-DME500 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥2,123.844 | 最低： 25 倍数： 1 | |
| BFP181E7764HTSA1 | 726-BFP181E7764HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 8980 有库存 | 1：¥3.19 10：¥2.03 100：¥0.87232 1,000：¥0.667 3,000：¥0.50808 9,000：¥0.45472 24,000：¥0.42456 48,000：¥0.37932 99,000：¥0.36424 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | 0405SC-1500M | 494-0405SC-1500M新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥13,587.486 | 最低： 5 倍数： 5 | |
 | BFU520AVL | 771-BFU520AVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 8239 有库存 | 1：¥3.712 10：¥2.8768 100：¥1.5892 1,000：¥1.218 2,500：¥1.0614 10,000：¥0.986 25,000：¥0.9106 50,000：¥0.83404 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC5087YTE85LF | 757-2SC5087YTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V | 数据表 | 2340 有库存 | 1：¥3.4916 10：¥2.2852 100：¥1.276 1,000：¥0.93264 3,000：¥0.80388 9,000：¥0.75052 24,000：¥0.6902 45,000：¥0.667 99,000：¥0.63684 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC210552FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC210552FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥368.5088 100：¥341.5852 250：¥331.7252 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PXAC182002FCV1R250XTMA1 | 726-AC182002FCV1R250新产品 | Infineon / IR | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥512.3024 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| AFT21S232SR3 | 841-AFT21S232SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2 | 数据表 | 无库存 | 250：¥705.5468 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFS20W,115 | 771-BFS20W115新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 TRANS HV TAPE-7 | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.5752 10：¥1.6472 100：¥0.70528 1,000：¥0.54636 3,000：¥0.40948 9,000：¥0.36424 24,000：¥0.34104 45,000：¥0.30392 99,000：¥0.2958 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF5S9080NBR1 | 841-MRF5S9080NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV5 900MHZ 80W | 数据表 | 无库存 | 500：¥314.7428 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | QPD3601 | 772-QPD3601新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN | 数据表 | 13 有库存 | 1：¥887.342 25：¥734.8252 100：¥682.5672 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTAB182002FCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥555.4544 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BF1101R,215 | 771-BF1101R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3408 100：¥2.0416 1,000：¥1.5776 3,000：¥1.3456 9,000：¥1.2528 24,000：¥1.1948 45,000：¥1.16 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PD57045TR-E | 511-PD57045TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥393.008 5：¥384.2848 10：¥366.6876 25：¥351.2944 100：¥318.3852 250：¥307.3884 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| MRFE6VP5150NR1 | 841-MRFE6VP5150NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | 数据表 | 860 有库存 | 1：¥341.0516 5：¥323.7676 10：¥318.2228 25：¥288.4224 100：¥276.2888 250：¥255.3508 500：¥246.0244 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | IXZ308N120 | 747-IXZ308N120新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 08A 1200V N Channel ZMOS Switch MOSFET | 数据表 | 51 有库存 | 1：¥283.04 5：¥274.5488 10：¥257.3228 25：¥238.0668 50：¥233.4384 100：¥218.7296 250：¥199.0792 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1310HSR5 | 841-MMRF1310HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥657.3836 100：¥611.3548 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| MMBT5551-G | 750-MMBT5551-G新产品 | Comchip Technology | 射频(RF)双极晶体管 VCEO=160V IC=600mA | 2850 有库存 | 1：¥3.19 10：¥2.0648 100：¥0.93264 1,000：¥0.5916 3,000：¥0.44776 9,000：¥0.37932 24,000：¥0.35612 45,000：¥0.33408 99,000：¥0.2958 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | TGF2819-FL | 772-TGF2819-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| MMRF1008GHR5 | 841-MMRF1008GHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,961.618 | 最低： 50 倍数： 50 | |
| BFP760H6327XTSA1 | 726-BFP760H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.712 10：¥3.0392 100：¥1.856 1,000：¥1.4384 3,000：¥1.218 9,000：¥1.13796 24,000：¥1.07648 45,000：¥1.05444 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57070-E | 511-PD57070-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
 | QPD2795 | 772-QPD2795新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaN | 数据表 | 22 有库存 | 1：¥1,507.2576 25：¥1,248.1832 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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