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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF141G | 937-MRF141G 新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB | 数据表 | 56 有库存 | 1：¥1,201.9644 10：¥1,175.031 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MRFG35003N6AT1 | 841-MRFG35003N6AT1新产品 | NXP / Freescale | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 | 数据表 | 998 有库存 | 1：¥102.96 10：¥94.6296 25：¥90.4878 100：¥79.9344 250：¥71.4402 500：¥69.0768 1,000：¥63.3321 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | SD57120 | 511-SD57120新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,262.7693 5：¥1,232.4078 10：¥1,201.7304 25：¥1,184.9058 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP520H6327XTSA1 | 726-BFP520H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5519 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.8431 100：¥1.7316 1,000：¥1.3338 3,000：¥0.9945 9,000：¥0.87165 24,000：¥0.80262 45,000：¥0.7722 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB213208SVV1XWSA1 | 726-PTFB213208SVV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MMRF1314GSR5 | 841-MMRF1314GSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,787.7921 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | AFV09P350-04NR3 | 841-AFV09P350-04NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,490.2641 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | AFT09MP055GNR1 | 841-AFT09MP055GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4G | 数据表 | 无库存 | 500：¥201.942 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | AGR21180EF | 974-AGR21180EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 38Watt Gain 14dB | 无库存 | 10：¥870.129 30：¥770.679 50：¥696.1032 100：¥671.2407 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 | |
 | VRF2933MP | 494-VRF2933MP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 12 有库存 | 1：¥1,567.449 2：¥1,529.7399 5：¥1,507.3227 10：¥1,485.9819 25：¥1,465.6356 50：¥1,365.2028 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MT3S113(TE85L,F) | 757-MT3S113TE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 800mW | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PXAC200902FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC200902FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥388.9782 100：¥360.4419 250：¥350.1108 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 55GN01FA-TL-H | 863-55GN01FA-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V FT=5.5 | 数据表 | 无库存 | 16,000：¥0.49725 24,000：¥0.46683 48,000：¥0.41301 96,000：¥0.3978 | 最低： 16000 倍数： 8000 | 详细信息 |
 | BLP05H6110XRY | 771-BLP05H6110XRY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥476.4825 200：¥455.9022 | 最低： 100 倍数： 100 | |
 | BF771E6327HTSA1 | 726-BF771E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | 数据表 | 8950 有库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.574 100：¥1.1817 1,000：¥0.91026 3,000：¥0.7722 9,000：¥0.70317 24,000：¥0.65754 48,000：¥0.58851 99,000：¥0.56628 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF174 | 974-MRF174新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 12 有库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF1535NT1 | 841-MRF1535NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N | 数据表 | 2344 有库存 | 1：¥169.5915 5：¥162.0918 10：¥156.429 25：¥136.539 100：¥133.5555 250：¥127.9746 500：¥117.7254 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFY740B01ESB4SA1 | 726-BFY740B01ESB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFT09S200W02SR3 | 841-AFT09S200W02SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 716-960 MHz, 41 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥647.3727 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF1004MB | 974-MRF1004MB新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥568.971 10：¥522.0774 25：¥468.5265 50：¥414.9873 100：¥374.8212 200：¥361.4364 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PH1214-80M | 937-PH1214-80M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,223.234 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PH1214-25M | 937-PH1214-25M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 8 有库存 | 1：¥1,612.4355 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRFE6VS25GNR1 | 841-MRFE6VS25GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G | 数据表 | 1650 有库存 | 1：¥222.6042 5：¥212.7294 10：¥205.3116 25：¥179.1504 100：¥175.3245 250：¥167.9769 500：¥154.5219 | 最低： 1 倍数： 1 |
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