24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PXAC241702FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC241702FCV1R0 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥568.0467 100：¥526.4415 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | BFU610F,115 | 771-BFU610F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 15GHz | 数据表 | 4214 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.808 100：¥1.7082 1,000：¥1.3221 3,000：¥1.13256 9,000：¥1.05534 24,000：¥0.9945 45,000：¥0.9711 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | GTVA261701FAV1R0XTMA1 | 726-GTVA261701FAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,061.5878 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | A2T18H100-25SR3 | 841-A2T18H100-25SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 15 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | 150-201N09A-00 | 747-150-201N09A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-150 200V 9A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 38 有库存 | 1：¥173.6397 5：¥168.4449 10：¥157.8798 25：¥146.0277 50：¥143.1963 100：¥134.1756 250：¥122.1597 500：¥114.4377 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT05MS003NT1 | 841-AFT05MS003NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor 1.8-941 MHz, 3 W, 7.5V | 数据表 | 10929 有库存 | 1：¥24.1722 10：¥22.1832 25：¥20.1942 100：¥18.135 250：¥16.6725 500：¥15.1515 1,000：¥13.6188 2,000：¥13.3146 5,000：¥12.6243 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T09VD250NR1 | 841-A2T09VD250NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥705.9663 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MMBT918 | 512-MMBT918新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 3324 有库存 | 1：¥1.9071 10：¥1.2753 100：¥0.52767 1,000：¥0.35919 3,000：¥0.28314 9,000：¥0.24453 24,000：¥0.22932 45,000：¥0.21411 99,000：¥0.18369 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT05MP075GNR1 | 841-AFT05MP075GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G | 数据表 | 无库存 | 500：¥124.1487 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MRF6V13250HR5 | 841-MRF6V13250HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,082.7277 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFT20P060-4GNR3 | 841-AFT20P060-4GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-2170 MHz 6.3 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥228.8754 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | AT-32033-BLKG | 630-AT-32033-BLKG新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥3.159 100：¥2.0826 1,000：¥1.5327 2,500：¥1.3221 10,000：¥1.2168 25,000：¥1.16298 50,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTAC210802FCV1XWSA1 | 726-PTAC210802FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLF184XRSU | 771-BLF184XRSU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,053.3276 5：¥1,032.5952 10：¥984.4848 25：¥963.7524 100：¥915.5601 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT09H310-03SR6 | 841-AFT09H310-03SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,025.7156 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | MD7IC2012GNR1 | 841-MD7IC2012GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ12W TO270WB14G | 数据表 | 无库存 | 500：¥314.0046 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | 2N3819 | 610-2N3819新产品 | Central Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK | 数据表 | 无库存 | 1：¥6.5754 10：¥5.6979 100：¥3.9546 1,000：¥2.9367 2,500：¥2.4804 10,000：¥2.3985 25,000：¥2.2932 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MAX2601ESA+T | 700-MAX2601ESAT新产品 | Maxim Integrated | 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | 数据表 | 无库存 | 2,500：¥19.89 | 最低： 2500 倍数： 2500 | 详细信息 |
 | MMRF1013HR5 | 841-MMRF1013HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,603.0394 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PXAC180602MDV1R500XUMA1 | 726-AC180602MDV1R500新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥220.4631 | 最低： 500 倍数： 500 | |
 | BF904WR,115 | 771-BF904WR115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.8961 10：¥3.2409 100：¥1.9773 1,000：¥1.521 3,000：¥1.2987 9,000：¥1.2051 24,000：¥1.14777 45,000：¥1.12437 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1517-110M | 494-1517-110M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 10：¥2,640.7485 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD20010S-E | 511-PD20010S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 400：¥102.5739 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | BLF2425M8LS140J | 771-BLF2425M8LS140J新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥869.8248 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
