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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MX0912B251Y | 974-MX0912B251Y 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN | 无库存 | 1：¥3,626.1716 2：¥3,327.518 5：¥2,986.2344 10：¥2,388.9852 25：¥2,303.6672 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | SD1143-01 | 974-SD1143-01新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥741.3444 10：¥680.2936 25：¥610.5196 50：¥540.7456 100：¥488.418 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| BFR 840L3RHESD E6327 | 726-BFR840L3RHESDE新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 15,000：¥1.3572 45,000：¥1.3224 | 最低： 15000 倍数： 15000 | 详细信息 |
 | MRF151A | 937-MRF151A新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 54 有库存 | 1：¥564.7112 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB213208SVV1XWSA1 | 726-PTFB213208SVV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PTFB183404EV1R0XTMA1 | 726-PTFB183404EV1R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,095.8288 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFU520XAR | 771-BFU520XAR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 2752 有库存 | 1：¥3.712 10：¥2.8768 100：¥1.5892 1,000：¥1.218 3,000：¥1.0614 9,000：¥0.986 24,000：¥0.9106 45,000：¥0.83404 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB213208FVV2R0XTMA1 | 726-PTFB213208FVV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,095.8288 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AGR09030EF | 974-AGR09030EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| BFP540ESDH6327XTSA1 | 726-BFP540ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5890 有库存 | 1：¥4.4776 10：¥3.7004 100：¥2.262 1,000：¥1.74 3,000：¥1.4848 9,000：¥1.392 24,000：¥1.3108 45,000：¥1.276 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T26H165-24SR3 | 841-A2T26H165-24SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥710.1752 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| A2T07D160W04SR3 | 841-A2T07D160W04SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 710-960 MHz, 160 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥752.5732 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | 2N5953 | 610-2N5953新产品 | Central Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch FET 30Vgs 30Vdg 10mA 360mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥8.642 10：¥7.0528 100：¥5.8812 500：¥4.5356 1,000：¥4.0948 2,000：¥3.6308 10,000：¥3.4916 24,000：¥3.3872 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| VRF2944MP | 494-VRF2944MP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥1,861.0576 2：¥1,816.3164 5：¥1,789.6944 10：¥1,764.36 25：¥1,740.2436 50：¥1,620.868 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CG2H40010F | 941-CG2H40010F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt | 数据表 | 17 有库存 | 1：¥443.5144 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550AR | 771-BFU550AR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 973 有库存 | 1：¥2.726 10：¥2.204 100：¥1.0614 1,000：¥0.81896 3,000：¥0.69716 9,000：¥0.63684 24,000：¥0.59972 45,000：¥0.53128 99,000：¥0.5162 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT18H357-24NR6 | 841-AFT18H357-24NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥888.3976 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| PTFC270051MV2R1KXUMA1 | 726-PTFC270051MV2R1K新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥51.1908 | 最低： 1000 倍数： 1000 | |
 | BLC8G27LS-240AVJ | 771-BLC8G27LS-240AVJ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 100：¥880.208 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PTFA212001F V4 R250 | 726-PTFA212001FV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 2110-2170 MHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BFU530AR | 771-BFU530AR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 6674 有库存 | 1：¥3.6424 10：¥3.016 100：¥1.8444 1,000：¥1.4268 3,000：¥1.218 9,000：¥1.12984 24,000：¥1.06952 45,000：¥1.04632 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT05MS003NT1 | 841-AFT05MS003NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor 1.8-941 MHz, 3 W, 7.5V | 数据表 | 10876 有库存 | 1：¥23.9656 10：¥21.9936 25：¥20.0216 100：¥17.98 250：¥16.53 500：¥15.022 1,000：¥13.5024 2,000：¥13.2008 5,000：¥12.5164 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF10H6600PSU | 771-BLF10H6600PSU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF10H6600PS/LDMOST/STANDARD M | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,568.3896 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| VRF2933MP | 494-VRF2933MP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 12 有库存 | 1：¥1,554.052 2：¥1,516.6652 5：¥1,494.4396 10：¥1,473.2812 25：¥1,453.1088 50：¥1,353.5344 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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