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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
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 | MMBTH24 | 512-MMBTH24 新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 22419 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | AFM907NT1 | 841-AFM907NT1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 375-501N21A-00 | 747-375-501N21A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375 21A 500V N Channel MOSFET | 数据表 | 58 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | LET9060TR | 511-LET9060TR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | AFT20S015NR1 | 841-AFT20S015NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2 | 数据表 | 无库存 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 | |
| CFY2520PESZZZA1 | 726-CFY2520PESZZZA1新产品 | Infineon Technologies | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | QPD1008L | 772-QPD1008L新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MRF6S20010GNR1 | 841-MRF6S20010GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W | 数据表 | 137 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | BFP 405 H6740 | 726-BFP405H6740新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2441 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MMRF1314GSR5 | 841-MMRF1314GSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | ||
| MAX2601ESA+T | 700-MAX2601ESAT新产品 | Maxim Integrated | 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | 数据表 | 无库存 | 最低： 2500 倍数： 2500 | 详细信息 | |
 | BFP 740FESD H6327 | 726-BFP740FESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BI | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF5176 | 974-MRF5176新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 7 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MDS800 | 494-MDS800新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 25 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PXAC213308FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC213308FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
| MMRF1006HSR5 | 841-MMRF1006HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
| AFT27S010NT1 | 841-AFT27S010NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-2.8MHz 45W | 数据表 | 947 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | STAC2932BW | 511-STAC2932BW新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| CGHV35060MP | 941-CGHV35060MP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BLA1011-200R,112 | 771-BLA1011-200R112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS LDMOS NCH 75V | 数据表 | 无库存 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 | |
 | BFP 520 H6327 | 726-BFP520H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 7690 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFU690F,115 | 771-BFU690F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 18GHz | 数据表 | 29307 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFR 193 E6327 | 726-BFR193E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | 数据表 | 1942 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PTVA123501FCV1R0XTMA1 | 726-PTVA123501FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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