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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFU520YF | 771-BFU520YF 新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband si silicon RF trans | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | AFV141KGSR5 | 841-AFV141KGSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MHz, 1000 W PEAK, 50 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | ||
 | CGH60030D-GP4 | 941-CGH60030D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 240 有库存 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 | |
 | AFT26H250-24SR6 | 841-AFT26H250-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 | |
 | MRF6V2150NBR1 | 841-MRF6V2150NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W | 数据表 | 无库存 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 | |
 | HFA3101BZ96 | 968-HFA3101BZ96新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL | 数据表 | 无库存 | 最低： 2500 倍数： 2500 | 详细信息 | |
 | AFT20S015GNR1 | 841-AFT20S015GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G | 数据表 | 183 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
| MRF7S24250NR3 | 841-MRF7S24250NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2450 MHz, 250 W, 32 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 2SK3756(TE12L,F) | 757-2SK3756TE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS | 数据表 | 104 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BF909A,215 | 771-BF909A215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFU550VL | 771-BFU550VL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | LET20045C | 511-LET20045C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR trans Ldmost 2.0 GHz N-Ch ENH | 数据表 | 6 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MMBFJ305 | 512-MMBFJ305新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TO-236AB JFET | 数据表 | 2156 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | QPD1014SR | 772-QPD1014SR新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN | 数据表 | 90 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| BFY64004SAMB4SA1 | 726-BFY64004SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLA6H1011-600,112 | 771-BLA6H1011-60011新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS AVIONICS PWR LDMOS | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BLC8G21LS-160AVY | 771-BLC8G21LS-160AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 | |
| PTAC260302FCV1R250XTMA1 | 726-PTAC260302FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | 726-BFP740FESDH6327X新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BI | 数据表 | 45 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | HFA3096BZ96 | 968-HFA3096BZ96新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N | 数据表 | 2430 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | LET9120 | 511-LET9120新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 | |
 | MMBTH11 | 512-MMBTH11新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 17495 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | T2G6003028-FS | 772-T2G6003028-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless | 数据表 | 195 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PXAC192908FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC192908FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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