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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TGF2978-SM | 772-TGF2978-SM 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |  详细信息 | |
 | PH1214-25S | 937-PH1214-25S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,478.8956 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | A2T21S260W12NR3 | 841-A2T21S260W12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥501.758 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| MMRF1315NR1 | 841-MMRF1315NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband RF Power LDMOS Transistor, 500-1000 MHz, 60 W CW, 28 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥292.9696 5：¥278.11 10：¥273.3308 25：¥247.776 100：¥237.3824 250：¥219.3328 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AUNA202 | 974-AUNA202新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 50 Ohm | 无库存 | 1：¥580.1856 10：¥532.4052 25：¥477.7924 50：¥423.1912 100：¥353.6492 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFR 360F H6327 | 726-BFR360FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.958 10：¥2.0532 100：¥0.94772 1,000：¥0.72848 3,000：¥0.62176 9,000：¥0.56144 24,000：¥0.53128 48,000：¥0.47792 99,000：¥0.45472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 92P E6327 | 726-BFR92PE6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A | 数据表 | 17788 有库存 | 1：¥2.8768 10：¥2.1576 100：¥1.1716 1,000：¥0.87928 3,000：¥0.75864 9,000：¥0.70528 24,000：¥0.65192 48,000：¥0.62988 99,000：¥0.59972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| FH2164 | 937-FH2164新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥645.5516 5：¥581.0208 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | 2A8 | 494-2A8新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥827.196 100：¥801.0264 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
| PH3134-30S | 937-PH3134-30S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,876.2304 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | TGF2021-04-SD T/R | 772-TGF2021-04-SDT/R新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 5Volts | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥42.0152 | 最低： 1000 倍数： 1000 | 详细信息 |
 | T1G4004532-FL | 772-T1G4004532-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB | 数据表 | 65 有库存 | 1：¥1,820.1792 25：¥1,642.7108 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF275L | 937-MRF275L新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB | 数据表 | 11 有库存 | 1：¥667.3944 10：¥625.6924 25：¥611.0532 50：¥596.4836 100：¥563.122 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| A2T18S162W31SR3 | 841-A2T18S162W31SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥758.7908 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| BFP640FH6327XTSA1 | 726-BFP640FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.4916 10：¥2.8652 100：¥1.74 1,000：¥1.3456 3,000：¥1.15304 9,000：¥1.07648 24,000：¥1.01616 45,000：¥0.99296 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 620 H7764 | 726-BFP620H7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2504 有库存 | 1：¥4.2456 10：¥3.5148 100：¥2.1344 1,000：¥1.6588 3,000：¥1.4152 9,000：¥1.3108 24,000：¥1.2412 45,000：¥1.218 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2160 | 772-TGF2160新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE | 数据表 | 无库存 | 100：¥130.9756 300：¥122.4032 500：¥114.4456 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MRF171 | 974-MRF171新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥348.87 10：¥302.9804 25：¥284.78 50：¥264.306 100：¥250.5832 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC260622SCV1R250XTMA1 | 726-AC260622SCV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥443.816 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFP 520F H6327 | 726-BFP520FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1654 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.7492 100：¥1.6704 1,000：¥1.2992 3,000：¥1.09968 9,000：¥1.03124 24,000：¥0.97092 45,000：¥0.94772 99,000：¥0.91756 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFP182RE7764HTSA1 | 726-BFP182RE7764HTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 9,000：¥0.83404 24,000：¥0.7656 48,000：¥0.73544 99,000：¥0.70528 | 最低： 9000 倍数： 3000 | 详细信息 |
 | BLC9G20LS-120VY | 771-BLC9G20LS-120VY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥459.1396 200：¥439.2688 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| PTAB182002FCV1R0XTMA1 | 726-PTAB182002FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥650.9456 100：¥606.1232 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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