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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VRF150 | 494-VRF150 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 1：¥407.7168 2：¥396.6504 5：¥385.6536 10：¥374.6568 25：¥348.1856 50：¥339.6944 100：¥324.6028 250：¥296.612 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BLV20 | 974-BLV20新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV40050F | 941-CGHV40050F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,527.5112 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXFC211507SCV1R250XTMA1 | 726-FC211507SCV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PMBF4391,215 | 771-PMBF4391215新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 6961 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.378 100：¥1.2876 1,000：¥0.9628 3,000：¥0.83404 9,000：¥0.78068 24,000：¥0.7134 45,000：¥0.6902 99,000：¥0.66004 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1011HR5 | 841-MMRF1011HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,382.8732 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BF904A,215 | 771-BF904A215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.3268 10：¥3.538 100：¥2.1576 1,000：¥1.6704 3,000：¥1.4268 9,000：¥1.3224 24,000：¥1.2644 45,000：¥1.2296 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXFC191507FCV1R0XTMA1 | 726-PXFC191507FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥517.6152 100：¥479.6948 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | DU28120T | 937-DU28120T新产品 | .[^>]*/1183" target="_blank"> | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.175MHz 120W MOSFET | 数据表 | 无库存 | 1：¥802.6272 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF184XRSU | 771-BLF184XRSU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,044.3248 5：¥1,023.7696 10：¥976.0704 25：¥955.5152 100：¥907.7348 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC210552FCV1R2XTMA1 | 726-PXAC210552FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 250：¥331.7252 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| MMRF5015NR5 | 841-MMRF5015NR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power GaN Transistor 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,335.406 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | AT-31033-BLKG | 630-AT-31033-BLKG新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6424 10：¥3.132 100：¥2.0648 1,000：¥1.5196 2,500：¥1.3108 10,000：¥1.2064 25,000：¥1.15304 50,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF909R,235 | 771-BF909R235新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.2992 20,000：¥1.2296 50,000：¥1.1948 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
| MRF6VP3450HR6 | 841-MRF6VP3450HR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,414.5852 5：¥1,383.0332 10：¥1,354.7408 25：¥1,334.7192 50：¥1,286.2544 100：¥1,257.3704 150：¥1,257.3704 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1306HSR5 | 841-MMRF1306HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,768.2228 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| XF1001-SC-EV1 | 937-XF1001-SC-EV1新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module | 5 有库存 | 1：¥4,266.0508 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 1090MP | 494-1090MP新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥858.516 2：¥831.894 5：¥831.5924 10：¥804.8196 25：¥774.4856 50：¥763.9412 100：¥699.7816 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD1274-01 | 974-SD1274-01新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 15 有库存 | 1：¥288.6544 10：¥279.6296 25：¥269.236 50：¥263.552 100：¥243.1476 200：¥240.7928 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | A2V09H300-04NR3 | 841-A2V09H300-04NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 79 W Avg., 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥709.572 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BFT46,215 | 771-BFT46215新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.5472 10：¥3.77 100：¥2.2968 1,000：¥1.7748 3,000：¥1.5196 9,000：¥1.4152 24,000：¥1.334 45,000：¥1.2992 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| LET9045TR | 511-LET9045TR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package | 数据表 | 无库存 | 600：¥234.5752 | 最低： 600 倍数： 600 | |
| ARF468AG | 494-ARF468AG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 25 有库存 | 1：¥367.9056 2：¥357.8948 5：¥347.9536 10：¥338.024 25：¥314.128 50：¥306.472 100：¥292.8188 250：¥267.6468 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| BFY650B11PB4SA1 | 726-BFY650B11PB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |
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