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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLF2324M8LS200PU | 771-BLF2324M8LS200PU 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,126.2324 | 最低： 60 倍数： 60 |  详细信息 |
 | PD85004 | 511-PD85004新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR | 数据表 | 6714 有库存 | 1：¥24.4992 10：¥20.8568 100：¥18.0496 250：¥17.1448 500：¥15.3932 1,000：¥12.9688 2,500：¥12.3656 5,000：¥11.9016 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF1004MB | 974-MRF1004MB新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥564.108 10：¥517.6152 25：¥464.522 50：¥411.4404 100：¥371.6176 200：¥358.3472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF556A,215 | 771-BF556A-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 4239 有库存 | 1：¥5.0112 10：¥4.1412 100：¥2.668 1,000：¥2.1344 3,000：¥1.8096 9,000：¥1.74 24,000：¥1.6704 45,000：¥1.6472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MDS60L | 494-MDS60L新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,694.5164 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFY740B01PB4SA1 | 726-BFY740B01PB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRFX1K80H-230MHZ | 771-MRFX1K80H-230MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1800W - 230MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥9,920.3548 5：¥9,813.7972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8P9210NR3 | 841-MRF8P9210NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W | 数据表 | 无库存 | 250：¥649.0432 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF151 | 937-MRF151新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB | 数据表 | 125 有库存 | 1：¥409.9904 10：¥385.874 25：¥373.8216 50：¥361.7576 100：¥344.8448 250：¥325.5888 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550WF | 771-BFU550WF新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 10000 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.7492 100：¥1.6704 1,000：¥1.2992 2,500：¥1.09968 10,000：¥1.03124 25,000：¥0.97092 50,000：¥0.94772 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55035STR-E | 511-PD55035STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 600：¥179.4404 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
| PTFB212503FLV2R250XTMA1 | 726-PTFB212503FLV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥640.8536 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFP 840ESD H6327 | 726-BFP840ESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 2190 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.90 100：¥1.7748 1,000：¥1.3688 3,000：¥1.1716 9,000：¥1.0846 24,000：¥1.03124 45,000：¥1.0092 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV40200PP | 941-CGHV40200PP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥2,947.9312 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1211R,215 | 771-BF1211R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0252 10：¥3.2944 100：¥2.0068 1,000：¥1.5544 3,000：¥1.3224 9,000：¥1.2412 24,000：¥1.1716 45,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU580QX | 771-BFU580QX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 1383 有库存 | 1：¥7.3544 10：¥6.2524 100：¥4.8024 500：¥4.2456 1,000：¥3.3524 2,000：¥2.9696 10,000：¥2.8536 25,000：¥2.7724 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV40100F | 941-CGHV40100F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥2,631.3672 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1308HR5 | 841-MMRF1308HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,477.4572 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| ARF466FL | 494-ARF466FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥722.8424 2：¥700.3848 5：¥700.1644 10：¥677.6372 25：¥652.0824 50：¥643.278 100：¥589.2104 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD1407 | 974-SD1407新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 22 有库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTAC260302FCV1R0XTMA1 | 726-PTAC260302FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥472.0388 100：¥437.4476 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MMRF1317HR5 | 841-MMRF1317HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥6,040.7232 5：¥5,993.3952 10：¥5,946.7516 25：¥5,819.5692 50：¥5,682.8284 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| MRF24300GNR3 | 841-MRF24300GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2450 MHz, 300 W, 32 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,170.2196 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | SD1477 | 974-SD1477新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥546.0584 10：¥455.0448 25：¥409.538 50：¥364.0312 100：¥327.6304 200：¥254.8288 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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