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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBTH24 | 512-MMBTH24 新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 22419 有库存 | 1：¥2.1228 10：¥1.4152 100：¥0.5916 1,000：¥0.40252 3,000：¥0.319 9,000：¥0.2726 24,000：¥0.25752 45,000：¥0.24244 99,000：¥0.20532 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | AFM907NT1 | 841-AFM907NT1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power | 数据表 | 无库存 | 1：¥21.46 10：¥19.72 25：¥17.8988 100：¥16.0776 250：¥14.79 500：¥13.4212 1,000：¥12.064 2,000：¥11.832 5,000：¥11.2288 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 375-501N21A-00 | 747-375-501N21A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375 21A 500V N Channel MOSFET | 数据表 | 58 有库存 | 1：¥168.9772 5：¥163.8964 10：¥153.5724 25：¥142.0536 50：¥139.316 100：¥130.5928 250：¥118.842 500：¥111.4064 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | LET9060TR | 511-LET9060TR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 1：¥410.2224 5：¥401.0468 10：¥385.352 25：¥372.9052 100：¥345.6104 250：¥335.6692 600：¥307.6088 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | AFT20S015NR1 | 841-AFT20S015NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2 | 数据表 | 无库存 | 500：¥154.0364 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| CFY2520PESZZZA1 | 726-CFY2520PESZZZA1新产品 | Infineon Technologies | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | QPD1008L | 772-QPD1008L新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,516.816 25：¥1,312.0412 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF6S20010GNR1 | 841-MRF6S20010GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W | 数据表 | 137 有库存 | 1：¥293.5844 5：¥278.7132 10：¥273.934 25：¥248.298 100：¥237.8348 250：¥219.7852 500：¥211.8276 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP 405 H6740 | 726-BFP405H6740新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2441 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.9464 100：¥1.798 1,000：¥1.392 3,000：¥1.1832 9,000：¥1.1078 24,000：¥1.04632 45,000：¥1.02428 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1314GSR5 | 841-MMRF1314GSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,746.8708 | 最低： 50 倍数： 50 | |
| MAX2601ESA+T | 700-MAX2601ESAT新产品 | Maxim Integrated | 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | 数据表 | 无库存 | 2,500：¥19.72 | 最低： 2500 倍数： 2500 | 详细信息 |
 | BFP 740FESD H6327 | 726-BFP740FESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BI | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.8628 10：¥3.1552 100：¥1.9256 1,000：¥1.4848 3,000：¥1.276 9,000：¥1.1832 24,000：¥1.12288 45,000：¥1.09156 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF5176 | 974-MRF5176新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥568.806 10：¥474.0108 25：¥426.6016 50：¥379.204 100：¥341.2836 200：¥265.4428 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MDS800 | 494-MDS800新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥4,053.156 | 最低： 25 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC213308FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC213308FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥912.0616 100：¥866.4852 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| MMRF1006HSR5 | 841-MMRF1006HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,235.6692 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| AFT27S010NT1 | 841-AFT27S010NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-2.8MHz 45W | 数据表 | 947 有库存 | 1：¥121.9508 10：¥112.0908 25：¥107.1608 100：¥94.7256 250：¥84.564 500：¥81.7568 1,000：¥75.0056 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | STAC2932BW | 511-STAC2932BW新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch | 数据表 | 无库存 | 1：¥907.0504 5：¥890.4508 10：¥850.3264 25：¥822.034 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| CGHV35060MP | 941-CGHV35060MP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,169.3148 250：¥1,169.3148 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLA1011-200R,112 | 771-BLA1011-200R112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS LDMOS NCH 75V | 数据表 | 无库存 | 60：¥2,533.6952 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BFP 520 H6327 | 726-BFP520H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 7690 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.8188 100：¥1.7168 1,000：¥1.3224 3,000：¥1.12984 9,000：¥1.05444 24,000：¥0.99296 45,000：¥0.95584 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU690F,115 | 771-BFU690F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 18GHz | 数据表 | 29307 有库存 | 1：¥4.3964 10：¥3.6076 100：¥2.204 1,000：¥1.6936 3,000：¥1.45 9,000：¥1.3456 24,000：¥1.276 45,000：¥1.2528 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 193 E6327 | 726-BFR193E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | 数据表 | 1942 有库存 | 1：¥2.8072 10：¥2.088 100：¥0.89436 1,000：¥0.6902 3,000：¥0.60668 9,000：¥0.53824 24,000：¥0.50112 48,000：¥0.44776 99,000：¥0.43268 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTVA123501FCV1R0XTMA1 | 726-PTVA123501FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,617.1108 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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