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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | LET9045F | 511-LET9045F 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥630.9936 5：¥619.4632 10：¥591.5536 25：¥571.8452 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MHT1008NT1 | 841-MHT1008NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 12.5 W CW, 28 V | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥75.0056 | 最低： 1000 倍数： 1000 | |
 | MRF09030LR1 | 974-MRF09030LR1新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥568.806 10：¥474.0108 25：¥426.6016 50：¥379.204 100：¥341.2836 200：¥265.4428 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | LET9045C | 511-LET9045C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz | 数据表 | 无库存 | 50：¥571.8452 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF8S18210WHSR3 | 841-MRF8S18210WHSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W | 数据表 | 无库存 | 250：¥764.556 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| 3135GN-170M | 494-3135GN-170M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 无库存 | 5：¥5,086.6464 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 | |
| STBV32-AP | 511-STBV32-AP新产品 | STMicroelectronics | 射频(RF)双极晶体管 IGBT & Power Bipolar | 数据表 | 11959 有库存 | 1：¥2.958 10：¥2.0648 100：¥0.94772 1,000：¥0.72848 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | CGHV14500F | 941-CGHV14500F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt | 数据表 | 58 有库存 | 1：¥4,649.3496 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH60060D-GP4 | 941-CGH60060D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | TGF2080 | 772-TGF2080新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56% | 数据表 | 无库存 | 100：¥73.8688 300：¥69.02 500：¥64.5424 1,000：¥60.2968 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| A2T07H310-24SR6 | 841-A2T07H310-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 47 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,043.3388 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | CG2H30070F | 941-CG2H30070F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| CFY2520PESZZZA1 | 726-CFY2520PESZZZA1新产品 | Infineon Technologies | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | MRF173 | 937-MRF173新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥344.694 10：¥322.3292 25：¥310.184 50：¥298.1316 100：¥279.4788 250：¥260.8144 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MT3S111(TE85L,F) | 757-MT3S111TE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.3824 10：¥4.1644 100：¥2.6796 1,000：¥2.1576 3,000：¥1.8096 9,000：¥1.7516 24,000：¥1.682 45,000：¥1.6588 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1312HR5 | 841-MMRF1312HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥4,134.3908 5：¥4,070.8344 10：¥4,010.236 25：¥3,923.70 50：¥3,863.4032 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | IXZR08N120B-00 | 747-IXZR08N120B-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1200V 8A RF MOSFET, with ISOPLUS-247B package | 数据表 | 89 有库存 | 1：¥234.494 5：¥227.4412 10：¥213.1848 25：¥197.1884 50：¥193.314 100：¥181.1804 250：¥164.952 500：¥154.5584 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7LS140,118 | 771-BLF2425M7LS14011新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥862.3904 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BLF2425M8LS140J | 771-BLF2425M8LS140J新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥862.3904 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | 1214-220M | 494-1214-220M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,631.5296 5：¥2,466.2644 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF557 | 974-MRF557新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 248 有库存 | 1：¥34.1272 10：¥28.4432 25：¥25.5548 50：¥22.7476 100：¥20.474 200：¥15.9268 500：¥14.4884 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFP 720FESD H6327 | 726-BFP720FESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0252 10：¥3.3176 100：¥2.03 1,000：¥1.566 3,000：¥1.334 9,000：¥1.2412 24,000：¥1.1832 45,000：¥1.15304 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF904R,215 | 771-BF904R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3988 100：¥2.0648 1,000：¥1.6008 3,000：¥1.3688 9,000：¥1.276 24,000：¥1.2064 45,000：¥1.1716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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