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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | A2T26H160-24SR3 | 841-A2T26H160-24SR3 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2496 - 2690 MHz, 28 W AVG, 28 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 |  详细信息 | |
| BFP520FH6327XTSA1 | 726-BFP520FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2985 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.7492 100：¥1.6704 1,000：¥1.2992 3,000：¥1.09968 9,000：¥1.03124 24,000：¥0.97092 45,000：¥0.94772 99,000：¥0.91756 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| SD2931-15W | 511-SD2931-15W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 无库存 | 1：¥488.0352 5：¥477.1196 10：¥458.4552 25：¥443.6652 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | PTFA192001E V4 | 726-PTFA192001EV4新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PD85025STR-E | 511-PD85025STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥217.21 5：¥215.006 10：¥200.3668 25：¥191.342 100：¥171.10 250：¥163.212 600：¥155.3936 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF313 | 974-MRF313新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥341.2836 10：¥284.4088 25：¥255.9656 50：¥227.5224 100：¥204.7748 200：¥159.268 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC210552MDV1R5XUMA1 | 726-PXAC210552MDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥218.5788 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| AFM906NT1 | 841-AFM906NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V | 数据表 | 1936 有库存 | 1：¥18.0496 10：¥16.53 25：¥15.022 100：¥13.572 250：¥12.4352 500：¥11.2984 1,000：¥10.1616 2,000：¥9.9296 5,000：¥9.4076 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | 2731GN-110M | 494-2731GN-110M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥2,874.9788 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFS483H6327XTSA1 | 726-BFS483H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.93 10：¥4.06 100：¥2.6216 1,000：¥2.0996 3,000：¥1.7748 9,000：¥1.7052 24,000：¥1.6356 45,000：¥1.6124 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6V12250HSR5 | 841-MRF6V12250HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,956.3864 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTVA120251EAV1XWSA1 | 726-PTVA120251EAV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | CGH55030F2 | 941-CGH55030F2新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt | 数据表 | 59 有库存 | 1：¥932.9184 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT18H357-24SR6 | 841-AFT18H357-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,159.0024 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | MRF5174 | 974-MRF5174新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| LET9060STR | 511-LET9060STR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 1：¥410.2224 5：¥401.0468 10：¥385.352 25：¥372.9052 100：¥345.6104 250：¥335.6692 600：¥307.6088 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| MHT1004NR3 | 841-MHT1004NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 300 W, 32 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,168.932 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| PTFA041501EV4R0XTMA1 | 726-PTFA041501EV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 无库存 | 50：¥783.5104 100：¥729.5936 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | RFM12U7X(TE12L,Q) | 757-RFM12U7XTE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V | 数据表 | 无库存 | 1：¥69.2404 10：¥62.3384 25：¥56.8052 100：¥51.272 250：¥47.096 500：¥42.9316 1,000：¥37.3868 2,000：¥36.0296 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| A2T18S260-12SR3 | 841-A2T18S260-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥763.7208 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| PTFA041501FV4R0XTMA1 | 726-PTFA041501FV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 无库存 | 50：¥783.5104 100：¥729.5936 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
| PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PTFB212503FLV2R0XTMA1 | 726-PTFB212503FLV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥751.0536 100：¥699.3292 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| DSC2G02C0L | 667-DSC2G02C0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.5056 10：¥1.6356 100：¥0.77372 500：¥0.58348 1,000：¥0.4698 3,000：¥0.34916 9,000：¥0.28072 24,000：¥0.26564 45,000：¥0.21228 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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