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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NSVMMBTH10LT1G | 863-NSVMMBTH10LT1G 新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 SS VHF XSTR SPCL TR | 数据表 | 5935 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
| PTFB213208FVV2R2XTMA1 | 726-PTFB213208FVV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | BLV21 | 974-BLV21新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFU520VL | 771-BFU520VL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | CGH35240F | 941-CGH35240F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| PTFB213004FV2R250XTMA1 | 726-PTFB213004FV2R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
| MMRF1304LR5 | 841-MMRF1304LR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
| BLC9G20LS-240PVY | 771-BLC9G20LS-240PVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 | |
 | 2SC5086-O,LF | 757-2SC5086-OLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PD54003-E | 511-PD54003-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan | 数据表 | 无库存 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 | |
 | MRF150MP | 937-MRF150MP新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors | 数据表 | 32 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| TCS800 | 494-TCS800新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 最低： 25 倍数： 1 | |||
 | PD57070S-E | 511-PD57070S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 | |
 | MS1001 | 974-MS1001新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | ||
 | BLF184XRS | 771-BLF184XRS新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| BLF1721M8LS200U | 771-BLF1721M8LS200U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 无库存 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 | ||
| PXAC261002FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC261002FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
| PTVA082407NFV1R5XUMA1 | 726-PTVA082407NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 | |
 | BF909AWR,115 | 771-BF909AWR115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | SD2931-12W | 511-SD2931-12W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | DRF1200 | 494-DRF1200新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 9 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFP 196 E6327 | 726-BFP196E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 12787 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| A2T18S160W31GSR3 | 841-A2T18S160W31GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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