24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CGHV60040D | 941-CGHV60040D 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt | 数据表 | 80 有库存 | 10：¥321.1112 | 最低： 10 倍数： 10 |  详细信息 |
 | 275-501N16A-00 | 747-275-501N16A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275 500V 16A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 55 有库存 | 1：¥186.644 5：¥181.1108 10：¥169.7312 25：¥156.9944 50：¥153.9552 100：¥144.246 250：¥131.2772 500：¥123.018 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2025 | 772-TGF2025新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm | 数据表 | 无库存 | 100：¥46.2608 300：¥43.2332 500：¥40.426 1,000：¥37.7696 2,500：¥35.496 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PTVA093002TCV1R250XUMA1 | 726-PTVA093002TCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFU610F,115 | 771-BFU610F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 15GHz | 数据表 | 4114 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.784 100：¥1.6936 1,000：¥1.3108 3,000：¥1.12288 9,000：¥1.04632 24,000：¥0.986 45,000：¥0.9628 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| ARF1511 | 494-ARF1511新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥1,442.0424 2：¥1,407.3004 5：¥1,386.7452 10：¥1,367.1064 25：¥1,348.3724 50：¥1,255.9204 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2N3819 | 610-2N3819新产品 | Central Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK | 数据表 | 无库存 | 1：¥6.5192 10：¥5.6492 100：¥3.9208 1,000：¥2.9116 2,500：¥2.4592 10,000：¥2.378 25,000：¥2.2736 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | VRF3933 | 494-VRF3933新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥879.7556 2：¥852.4492 5：¥852.1476 10：¥824.6904 25：¥793.6024 50：¥782.9072 100：¥717.1468 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M8L140J | 771-BLF2425M8L140J新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥862.3904 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MRF8P9300HSR6 | 841-MRF8P9300HSR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,589.548 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | 2SC5066-O,LF | 757-2SC5066OLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 3290 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.0532 100：¥1.14492 1,000：¥0.83404 3,000：¥0.72036 9,000：¥0.67512 24,000：¥0.62176 45,000：¥0.59972 99,000：¥0.57652 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTVA127002EVV1R0XTMA1 | 726-PTVA127002EVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,743.5416 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BF909AR,215 | 771-BF909AR215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3756 100：¥2.0532 1,000：¥1.5892 3,000：¥1.3572 9,000：¥1.2644 24,000：¥1.1948 45,000：¥1.1716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7LS250P,11 | 771-BLF2425M7LS250P新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 13dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,337.3756 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MRF1535FNT1 | 841-MRF1535FNT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N | 数据表 | 516 有库存 | 1：¥207.582 5：¥198.3948 10：¥191.4928 25：¥167.0748 100：¥163.5136 250：¥156.6116 500：¥144.0952 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP540FESDH6327XTSA1 | 726-BFP540FESDH6327X新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5415 有库存 | 1：¥4.3964 10：¥3.5844 100：¥2.1924 1,000：¥1.6936 3,000：¥1.4384 9,000：¥1.3456 24,000：¥1.276 45,000：¥1.2412 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC5087R(TE85L,F) | 757-2SC5087RTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB | 数据表 | 2633 有库存 | 1：¥3.712 10：¥2.4592 100：¥1.3688 1,000：¥1.00108 3,000：¥0.8642 9,000：¥0.80388 24,000：¥0.74356 45,000：¥0.7134 99,000：¥0.68208 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2933 | 772-TGF2933新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50：¥269.6884 100：¥238.3684 250：¥223.1956 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| ASMA203 | 974-ASMA203新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 50 Ohm | 无库存 | 1：¥805.8056 10：¥739.4536 25：¥663.6128 50：¥587.772 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MRFE6VP5300GNR1 | 841-MRFE6VP5300GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥552.1948 5：¥536.1172 10：¥524.5868 25：¥502.5932 100：¥465.74 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AT-30533-BLKG | 630-AT-30533-BLKG新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6424 10：¥3.132 100：¥2.0648 1,000：¥1.5196 2,500：¥1.3108 10,000：¥1.2064 25,000：¥1.15304 50,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MS1008 | 974-MS1008新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥628.5692 10：¥576.7636 25：¥517.6152 50：¥458.4552 100：¥414.0852 200：¥399.3068 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 475-501N44A-00 | 747-475-501N44A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-475 44A 500V N Channel MOSFET | 数据表 | 42 有库存 | 1：¥367.5228 5：¥354.6352 10：¥343.6384 25：¥317.8516 50：¥307.9104 100：¥297.9808 250：¥284.0956 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD1009 | 772-QPD1009新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥235.1088 25：¥203.3248 100：¥175.8792 250：¥163.5832 500：¥152.134 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
