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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFP520H6327XTSA1 | 726-BFP520H6327XTSA1 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5519 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.8188 100：¥1.7168 1,000：¥1.3224 3,000：¥0.986 9,000：¥0.8642 24,000：¥0.79576 45,000：¥0.7656 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | 3135GN-100M | 494-3135GN-100M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 无库存 | 5：¥3,219.9744 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PTFB181702FCV1R0XTMA1 | 726-PTFB181702FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥584.4312 100：¥544.156 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFP840FESDH6327XTSA1 | 726-BFP840FESDH6327X新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 2509 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.8188 100：¥1.7168 1,000：¥1.3224 3,000：¥1.12984 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| A2T09VD250NR1 | 841-A2T09VD250NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥699.9324 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| MMRF1005HSR5 | 841-MMRF1005HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,978.5308 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | TH430 | 974-TH430新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 241 有库存 | 1：¥628.5692 10：¥576.7636 25：¥517.6152 50：¥458.4552 100：¥414.0852 200：¥399.3068 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR31,235 | 771-BFR31235新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single "+/- 25V 5mA | 数据表 | 9798 有库存 | 1：¥4.0252 10：¥3.2944 100：¥2.0068 1,000：¥1.5544 2,500：¥1.3224 10,000：¥1.2412 20,000：¥1.1716 50,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV59070F | 941-CGHV59070F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BF511,215 | 771-BF511-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 20V 10MA | 数据表 | 1140 有库存 | 1：¥5.9972 10：¥4.9648 100：¥3.2132 1,000：¥2.5752 3,000：¥2.1692 9,000：¥2.088 24,000：¥2.0068 45,000：¥1.972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | UF28100V | 937-UF28100V新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,373.0224 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MDS70 | 494-MDS70新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 无库存 | 1：¥1,218.7656 2：¥1,189.4872 5：¥1,172.0408 10：¥1,155.4296 25：¥1,139.6652 50：¥1,061.4696 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | STAC3932F | 511-STAC3932F新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack | 数据表 | 无库存 | 80：¥714.8036 | 最低： 80 倍数： 80 | 详细信息 |
 | T1G4020036-FS | 772-T1G4020036-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | SD1224-02 | 974-SD1224-02新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 12 有库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PTVA030121EAV1R250XTMA1 | 726-PTVA030121EAV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥330.7392 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BF1205,135 | 771-BF1205135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.5892 20,000：¥1.5196 50,000：¥1.4964 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | AFT18P350-4S2LR6 | 841-AFT18P350-4S2LR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,136.7768 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| DSC5501T0L | 667-DSC5501T0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.3408 10：¥1.6472 100：¥1.13796 500：¥0.93264 1,000：¥0.72848 3,000：¥0.55332 9,000：¥0.50808 24,000：¥0.47792 45,000：¥0.4176 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 740ESD H6327 | 726-BFP740ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 5425 有库存 | 1：¥3.944 10：¥3.248 100：¥1.9836 1,000：¥1.5312 3,000：¥1.3108 9,000：¥1.218 24,000：¥1.16 45,000：¥1.12984 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 181 E7764 | 726-BFP181E7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 10775 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.32 100：¥0.87232 1,000：¥0.667 3,000：¥0.50808 9,000：¥0.45472 24,000：¥0.42456 48,000：¥0.37932 99,000：¥0.36424 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2731GN-200M | 494-2731GN-200M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥4,682.862 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD4931 | 511-SD4931新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥606.7264 5：¥595.5788 10：¥568.806 25：¥549.8516 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF24300NR3 | 841-MRF24300NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2450 MHz, 300 W, 32 V | 数据表 | 28 有库存 | 1：¥1,316.60 5：¥1,287.1708 10：¥1,260.8504 25：¥1,242.2672 50：¥1,197.1432 100：¥1,170.2196 250：¥1,170.2196 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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