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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CG2H80030D-GP4 | 941-CG2H80030D 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 50 有库存 | 10：¥743.9196 | 最低： 10 倍数： 10 |  详细信息 |
 | BFP 720ESD H6327 | 726-BFP720ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 3669 有库存 | 1：¥4.176 10：¥3.4336 100：¥2.088 1,000：¥1.6124 3,000：¥1.3804 9,000：¥1.276 24,000：¥1.218 45,000：¥1.1948 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| CGH55015F1 | 941-CGH55015F1新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt | 数据表 | 18 有库存 | 1：¥515.8636 10：¥488.0352 25：¥474.1616 50：¥467.1784 100：¥463.6868 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7LS100U | 771-BLF2425M7LS100U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥740.1264 120：¥689.1676 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| BFY650B11SAMB4SA1 | 726-BFY650B11SAMB4SA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| BFR193FH6327XTSA1 | 726-BFR193FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.19 10：¥2.2388 100：¥1.02428 1,000：¥0.7888 3,000：¥0.67512 9,000：¥0.6148 24,000：¥0.57652 48,000：¥0.5162 99,000：¥0.493 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF158 | 937-MRF158新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB | 数据表 | 99 有库存 | 1：¥204.7748 10：¥189.37 25：¥181.714 50：¥174.058 100：¥161.7736 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55025S-E | 511-PD55025S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥165.4856 10：¥160.7876 100：¥148.0392 250：¥141.5896 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFY420 (P) | 726-BFY420P新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HiRel NPN Silicon RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PH1090-75L | 937-PH1090-75L新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 5 有库存 | 1：¥1,611.6228 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BLC8G20LS-400AVZ | 771-BLC8G20LS-400AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ACP Pad for base station | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,069.8912 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BF1201R,215 | 771-BF1201R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0252 10：¥3.2944 100：¥2.0068 1,000：¥1.5544 3,000：¥1.3224 9,000：¥1.2412 24,000：¥1.1716 45,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
| PH1214-80M | 937-PH1214-80M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,204.232 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | TGF2979-SM | 772-TGF2979-SM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | 2SK3475TE12LF | 757-2SK3475TE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS | 数据表 | 917 有库存 | 1：¥17.2144 10：¥13.8736 100：¥11.078 500：¥9.7092 1,000：¥8.0388 2,000：¥7.482 5,000：¥7.2036 10,000：¥6.9252 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD85015S-E | 511-PD85015S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
| AGR19060EF | 974-AGR19060EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB | 无库存 | 10：¥690.1536 30：¥611.2736 50：¥552.1252 100：¥532.4052 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 | |
| BFP405H6740XTSA1 | 726-BFP405H6740XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.9464 100：¥1.798 1,000：¥1.392 3,000：¥1.1832 9,000：¥1.1078 24,000：¥1.04632 45,000：¥1.02428 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBT5401-G | 750-MMBT5401-G新产品 | Comchip Technology | 射频(RF)双极晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA | 数据表 | 4622 有库存 | 1：¥2.2736 10：¥1.5196 100：¥0.68208 1,000：¥0.45472 3,000：¥0.37932 9,000：¥0.30392 99,000：¥0.22736 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| ARF469BG | 494-ARF469BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 9 有库存 | 1：¥398.0076 2：¥387.2428 5：¥376.5476 10：¥365.7828 25：¥339.9148 50：¥331.6556 100：¥316.8656 250：¥289.5592 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| NE5550979A-EV04-A | 551-NE5550979A-EV04A新产品 | CEL | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥948.01 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFC262157FHV1R0XTMA1 | 726-PTFC262157FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥832.358 100：¥790.7952 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MAX2602ESA+T | 700-MAX2602ESAT新产品 | Maxim Integrated | 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | 数据表 | 无库存 | 2,500：¥20.1028 | 最低： 2500 倍数： 2500 | 详细信息 |
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