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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTFC210202FCV1XWSA1 | 726-PTFC210202FCV1XW 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MT3S16U(TE85L,F) | 757-MT3S16UTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz | 数据表 | 2519 有库存 | 1：¥4.176 10：¥2.2968 100：¥0.986 1,000：¥0.75864 3,000：¥0.57652 9,000：¥0.5162 24,000：¥0.47792 45,000：¥0.42456 99,000：¥0.40948 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
| PH3134-9L | 937-PH3134-9L新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,709.0744 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| MS2209 | 494-MS2209新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,112.3136 5：¥2,050.2072 10：¥1,921.8764 25：¥1,876.1492 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFP196WH6327XTSA1 | 726-BFP196WH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 9399 有库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.3316 100：¥1.00108 1,000：¥0.77372 3,000：¥0.58348 9,000：¥0.52316 24,000：¥0.493 48,000：¥0.43268 99,000：¥0.4176 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFY740B01PB4SA1 | 726-BFY740B01PB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 2729GN-150 | 494-2729GN-150新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥2,731.1736 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7LS140,112 | 771-BLF2425M7LS1401新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥907.816 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | PD57060S-E | 511-PD57060S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam | 数据表 | 无库存 | 1：¥410.2224 5：¥401.0468 10：¥385.352 25：¥372.9052 100：¥345.6104 250：¥335.6692 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PMBF4393,215 | 771-PMBF4393-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 40V 100mA | 数据表 | 4534 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.726 100：¥1.6704 1,000：¥1.2876 3,000：¥1.09968 9,000：¥1.02428 24,000：¥0.97092 45,000：¥0.94772 99,000：¥0.9106 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SK3075(TE12L,Q) | 757-2SK3075TE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS | 数据表 | 998 有库存 | 1：¥50.9704 10：¥40.9596 100：¥37.3868 250：¥33.7444 500：¥30.2644 1,000：¥25.4852 2,000：¥24.2672 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFR740EL3E6829XTSA1 | 726-BFR740EL3E6829XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 无库存 | 15,000：¥2.2852 | 最低： 15000 倍数： 15000 | 详细信息 | |
 | BFU550R | 771-BFU550R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 28678 有库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3872 100：¥2.0648 1,000：¥1.6008 3,000：¥1.3688 9,000：¥1.276 24,000：¥1.2064 45,000：¥1.1716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBTH10RG | 512-MMBTH10RG新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 3471 有库存 | 1：¥2.958 10：¥1.8908 100：¥0.812 1,000：¥0.62988 3,000：¥0.47792 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8372LF | 974-MRF8372LF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 24 有库存 | 1：¥34.1272 10：¥28.4432 25：¥25.636 50：¥22.7476 100：¥20.474 200：¥15.9268 500：¥14.4884 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFR 182W H6327 | 726-BFR182WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 6605 有库存 | 1：¥4.698 10：¥3.1436 100：¥1.7632 1,000：¥1.2876 3,000：¥1.09968 9,000：¥1.04632 24,000：¥0.89436 45,000：¥0.8642 99,000：¥0.812 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBF5484 | 512-MMBF5484新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 17178 有库存 | 1：¥3.2596 10：¥2.1112 100：¥0.90248 1,000：¥0.69716 3,000：¥0.53128 9,000：¥0.4698 24,000：¥0.43964 45,000：¥0.3944 99,000：¥0.37932 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF 2040W H6814 | 726-BF2040WH6814新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS | 数据表 | 17320 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.2968 100：¥0.986 1,000：¥0.75864 3,000：¥0.57652 9,000：¥0.5162 24,000：¥0.47792 48,000：¥0.42456 99,000：¥0.40948 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AGR09180EF | 974-AGR09180EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-895MHz 38Watt Gain 18.25dB | 无库存 | 1：¥1,047.5844 5：¥961.2804 10：¥862.692 25：¥764.092 50：¥690.1536 100：¥665.5036 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| BFR 193L3 E6327 | 726-BFR193L3E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 13076 有库存 | 1：¥3.2596 10：¥2.4824 100：¥1.3456 1,000：¥1.0092 2,500：¥0.87232 10,000：¥0.812 15,000：¥0.75052 45,000：¥0.72036 90,000：¥0.6902 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTVA102001EAV1R0XTMA1 | 726-PTVA102001EAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥902.5032 100：¥857.3792 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| AGR19125EF | 974-AGR19125EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 24Watt Gain 15dB | 无库存 | 10：¥875.9624 30：¥775.8544 50：¥700.7676 100：¥675.7464 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 | |
 | MT3S113P(TE12L,F) | 757-MT3S113PTE12LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W | 数据表 | 无库存 | 1：¥7.5052 10：¥5.9972 100：¥4.6052 500：¥4.06 1,000：¥3.2132 2,000：¥2.8536 10,000：¥2.7376 25,000：¥2.6564 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP6300HR5 | 841-MRFE6VP6300HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 | 数据表 | 249 有库存 | 1：¥733.99 5：¥719.7336 10：¥695.9884 25：¥666.4896 50：¥657.3836 100：¥611.3548 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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