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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UF28100H | 937-UF28100H 新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥1,544.9576 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | TGF2955 | 772-TGF2955新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |  详细信息 | |
 | T1G4004532-FS | 772-T1G4004532-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB | 数据表 | 42 有库存 | 1：¥1,668.4976 25：¥1,505.8192 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFP 182R E7764 | 726-BFP182RE7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.5404 100：¥1.3804 1,000：¥1.03936 3,000：¥0.89436 9,000：¥0.83404 24,000：¥0.7656 48,000：¥0.73544 99,000：¥0.70528 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC261212FCV1R250XTMA1 | 726-PXAC261212FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥498.278 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| QPD1020SR | 772-QPD1020SR新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥607.4804 25：¥536.8016 100：¥474.3124 200：¥445.8692 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB210801FAV1R0XTMA1 | 726-PTFB210801FAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥361.8388 100：¥335.2864 250：¥325.6584 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFT09MS007NT1 | 841-AFT09MS007NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W | 数据表 | 2496 有库存 | 1：¥42.0964 10：¥38.6048 25：¥35.1132 100：¥31.552 250：¥28.9768 500：¥26.3204 1,000：¥23.664 2,000：¥23.1304 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF1535NT1 | 841-MRF1535NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N | 数据表 | 2324 有库存 | 1：¥207.582 5：¥198.3948 10：¥191.4928 25：¥167.0748 100：¥163.5136 250：¥156.6116 500：¥144.0952 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| DSC9G02D0L | 667-DSC9G02D0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 1.6x1.6mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.8072 10：¥1.8096 100：¥0.84216 500：¥0.64496 1,000：¥0.5162 3,000：¥0.3944 9,000：¥0.30392 24,000：¥0.28768 45,000：¥0.23548 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT21S232SR5 | 841-AFT21S232SR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2 | 数据表 | 无库存 | 50：¥776.0748 100：¥721.7752 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| AFV121KHR5 | 841-AFV121KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,863.4032 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | T1G2028536-FL | 772-T1G2028536-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥3,852.708 25：¥3,550.644 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| UF2820P | 937-UF2820P新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥587.2384 5：¥540.8152 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| MRF6VP21KHR5 | 841-MRF6VP21KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 225MHZ 1000W NI1230 | 数据表 | 无库存 | 1：¥6,792.8324 5：¥6,719.8684 10：¥6,647.6004 25：¥6,491.36 50：¥6,491.36 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF426 | 974-MRF426新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥289.71 10：¥240.1084 25：¥233.4384 50：¥226.7684 100：¥172.84 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 740 H6327 | 726-BFP740H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5167 有库存 | 1：¥3.8628 10：¥3.1668 100：¥1.9256 1,000：¥1.4964 3,000：¥1.276 9,000：¥1.1832 24,000：¥1.12288 45,000：¥1.09968 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PH3134-75S | 937-PH3134-75S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,524.74 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BLF2425M6LS180P,11 | 771-BLF2425M6LS180P1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,088.776 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | T1G3000532-SM | 772-T1G3000532-SM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3.5GHz PAE 64.7% P3dB 5.7W @3GHz 32V | 数据表 | 55 有库存 | 1：¥515.7128 25：¥492.9652 100：¥401.9516 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 3SK293(TE85L,F) | 757-3SK293TE85LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V | 数据表 | 2732 有库存 | 1：¥4.0948 10：¥2.726 100：¥1.5196 1,000：¥1.1078 3,000：¥0.95584 9,000：¥0.89436 24,000：¥0.81896 45,000：¥0.7888 99,000：¥0.75864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZ318N50 | 747-IXZ318N50新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ318N50 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET | 数据表 | 55 有库存 | 1：¥426.4508 5：¥410.524 10：¥401.3484 25：¥376.3272 50：¥363.8804 100：¥358.7996 250：¥335.3676 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550AVL | 771-BFU550AVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.3548 100：¥1.0092 1,000：¥0.77372 2,500：¥0.5916 10,000：¥0.52316 25,000：¥0.493 50,000：¥0.43964 100,000：¥0.42456 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T2G4003532-FS | 772-T2G4003532-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥1,368.7768 25：¥1,235.2956 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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