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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HFA3127BZ | 968-HFA3127BZ 新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL | 数据表 | 541 有库存 | 1：¥60.9812 10：¥55.1348 25：¥52.5596 100：¥45.6576 250：¥43.6044 500：¥39.7416 1,000：¥34.6608 2,500：¥33.3732 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PXFC212551SCV1R250XTMA1 | 726-FC212551SCV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PD57018STR-E | 511-PD57018STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥245.804 5：¥243.2172 10：¥226.6872 25：¥216.5256 100：¥193.6272 250：¥184.672 600：¥175.798 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD1000 | 772-QPD1000新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN | 数据表 | 487 有库存 | 1：¥439.872 25：¥386.7904 100：¥341.2836 250：¥310.9496 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLV33 | 974-BLV33新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥886.4256 10：¥813.392 25：¥729.9648 50：¥646.5376 100：¥583.9788 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV60075D5 | 941-CGHV60075D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| PD85025S-E | 511-PD85025S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥217.21 5：¥215.006 10：¥200.3668 25：¥191.342 100：¥171.10 250：¥163.212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 340F H6327 | 726-BFR340FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3943 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.3316 100：¥1.07648 1,000：¥0.82708 3,000：¥0.70528 9,000：¥0.64496 24,000：¥0.59972 48,000：¥0.53824 99,000：¥0.5162 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB092707FHV1R0XTMA1 | 726-PTFB092707FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥773.0472 100：¥719.8032 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFR 181W H6327 | 726-BFR181WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5788 有库存 | 1：¥2.5056 10：¥1.856 100：¥0.69716 1,000：¥0.53824 3,000：¥0.45472 9,000：¥0.38628 24,000：¥0.36424 48,000：¥0.34104 99,000：¥0.2958 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SS9018HBU | 512-SS9018HBU新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA | 数据表 | 16346 有库存 | 1：¥1.5892 10：¥1.45 100：¥0.5162 1,000：¥0.34104 2,000：¥0.26564 10,000：¥0.22736 25,000：¥0.20532 50,000：¥0.18212 100,000：¥0.15196 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF141G | 974-MRF141G新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,432.9364 10：¥1,385.156 25：¥1,337.3756 50：¥1,289.6764 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH60015D-GP4 | 941-CGH60015D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt | 数据表 | 240 有库存 | 10：¥390.5024 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
| PXAC243502FVV1R250XTMA1 | 726-PXAC243502FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥939.2172 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | MRF8S7170NR3 | 841-MRF8S7170NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2 | 数据表 | 无库存 | 250：¥517.0816 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| A2T26H160-24SR3 | 841-A2T26H160-24SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2496 - 2690 MHz, 28 W AVG, 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,015.2088 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| BFP520FH6327XTSA1 | 726-BFP520FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2985 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.7492 100：¥1.6704 1,000：¥1.2992 3,000：¥1.09968 9,000：¥1.03124 24,000：¥0.97092 45,000：¥0.94772 99,000：¥0.91756 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFA192001E V4 | 726-PTFA192001EV4新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PD85025STR-E | 511-PD85025STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥217.21 5：¥215.006 10：¥200.3668 25：¥191.342 100：¥171.10 250：¥163.212 600：¥155.3936 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF313 | 974-MRF313新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥341.2836 10：¥284.4088 25：¥255.9656 50：¥227.5224 100：¥204.7748 200：¥159.268 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC210552MDV1R5XUMA1 | 726-PXAC210552MDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥218.5788 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| AFM906NT1 | 841-AFM906NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V | 数据表 | 1936 有库存 | 1：¥18.0496 10：¥16.53 25：¥15.022 100：¥13.572 250：¥12.4352 500：¥11.2984 1,000：¥10.1616 2,000：¥9.9296 5,000：¥9.4076 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | 2731GN-110M | 494-2731GN-110M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥2,874.9788 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFS483H6327XTSA1 | 726-BFS483H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.93 10：¥4.06 100：¥2.6216 1,000：¥2.0996 3,000：¥1.7748 9,000：¥1.7052 24,000：¥1.6356 45,000：¥1.6124 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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