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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TGF2933 | 772-TGF2933 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50：¥269.6884 100：¥238.3684 250：¥223.1956 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | MRFE6VP5300GNR1 | 841-MRFE6VP5300GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥552.1948 5：¥536.1172 10：¥524.5868 25：¥502.5932 100：¥465.74 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AT-30533-BLKG | 630-AT-30533-BLKG新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6424 10：¥3.132 100：¥2.0648 1,000：¥1.5196 2,500：¥1.3108 10,000：¥1.2064 25,000：¥1.15304 50,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 475-501N44A-00 | 747-475-501N44A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-475 44A 500V N Channel MOSFET | 数据表 | 42 有库存 | 1：¥367.5228 5：¥354.6352 10：¥343.6384 25：¥317.8516 50：¥307.9104 100：¥297.9808 250：¥284.0956 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD1009 | 772-QPD1009新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥235.1088 25：¥203.3248 100：¥175.8792 250：¥163.5832 500：¥152.134 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT21S230-12SR3 | 841-AFT21S230-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ NI780-2L2L | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,058.3608 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| BLC8G22LS-450AVZ | 771-BLC8G22LS-450AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,203.5928 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | 275-201N25A-00 | 747-275-201N25A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275-201N25A-00 200V 25A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥409.6192 5：¥394.1448 10：¥383.0668 25：¥354.2524 50：¥347.8028 100：¥332.108 250：¥310.0332 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6V14300HSR5 | 841-MRF6V14300HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,126.1176 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PD85025-E | 511-PD85025-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥217.21 5：¥215.006 10：¥200.3668 25：¥191.342 100：¥171.10 250：¥163.212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLM8G0710S-45ABGY | 771-BLM8G0710S45ABGY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC | 数据表 | 无库存 | 100：¥307.8408 200：¥297.2964 | 最低： 100 倍数： 100 | |
| BFY740B01SAMB4SA1 | 726-BFY740B01SAMB4SA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF6VP2600HR5 | 841-MRF6VP2600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 225MHZ NI1230 | 数据表 | 164 有库存 | 1：¥2,233.2784 5：¥2,199.0004 10：¥2,166.242 25：¥2,119.5172 50：¥2,086.9908 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1312GSR5 | 841-MMRF1312GSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,863.4032 | 最低： 50 倍数： 50 | |
| AFT09S200W02NR3 | 841-AFT09S200W02NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥641.8396 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | RFM00U7U(TE85L,F) | 757-RFM00U7UTE85LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V | 数据表 | 无库存 | 1：¥10.092 10：¥8.12 100：¥6.206 500：¥5.4868 1,000：¥4.3268 3,000：¥3.8396 9,000：¥3.6888 24,000：¥3.5844 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH40120F | 941-CGH40120F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt | 数据表 | 144 有库存 | 1：¥2,296.8348 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PH1090-550S | 937-PH1090-550S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,580.746 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | ARF463AG | 494-ARF463AG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 1：¥251.5692 5：¥240.2592 10：¥232.754 25：¥213.8692 50：¥207.4196 100：¥197.6408 250：¥181.5632 500：¥167.2256 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| CE3521M4 | 551-CE3521M4新产品 | CEL | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C | 数据表 | 319 有库存 | 1：¥12.5164 10：¥9.86 100：¥7.888 500：¥6.3104 1,000：¥5.4172 2,500：¥5.1272 5,000：¥4.93 10,000：¥4.8256 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTRA093818NFV1R5XUMA1 | 726-PTRA093818NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥597.7016 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | ATF-50189-TR1 | 630-ATF-50189-TR1新产品 | Broadcom / Avago | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Linearity | 数据表 | 无库存 | 1：¥45.2748 10：¥41.4816 25：¥39.5096 100：¥34.3592 250：¥32.7584 500：¥29.8816 1,000：¥26.0188 3,000：¥25.1024 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF5014HR5 | 841-MMRF5014HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-2690 MHz 125 W CW 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,667.0952 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | STAC1011-350 | 511-STAC1011-350新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 5 有库存 | 1：¥1,264.574 5：¥1,234.1588 10：¥1,203.5232 25：¥1,186.68 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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