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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MX0912B251Y | 974-MX0912B251Y 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | ||
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | PXAC210552FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC210552FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥371.6856 100：¥344.5299 250：¥334.5849 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF6V14300HR5 | 841-MRF6V14300HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,144.4462 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | UF28100H | 937-UF28100H新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥1,558.2762 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BLF2425M7LS140,112 | 771-BLF2425M7LS1401新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥915.642 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MRF6V10010NR4 | 841-MRF6V10010NR4新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5 | 数据表 | 无库存 | 1：¥508.0725 5：¥493.2369 10：¥482.6835 25：¥462.4074 100：¥428.5242 200：¥410.0148 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1312HSR5 | 841-MMRF1312HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥4,170.0321 5：¥4,105.9278 10：¥4,044.807 25：¥3,957.525 50：¥3,896.7084 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | 3SK293(TE85L,F) | 757-3SK293TE85LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V | 数据表 | 2752 有库存 | 1：¥4.1301 10：¥2.7495 100：¥1.5327 1,000：¥1.11735 3,000：¥0.96408 9,000：¥0.90207 24,000：¥0.82602 45,000：¥0.7956 99,000：¥0.76518 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP61K25HR6 | 841-MRFE6VP61K25HR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H | 数据表 | 229 有库存 | 1：¥1,588.7196 5：¥1,553.3037 10：¥1,521.5499 25：¥1,499.0625 50：¥1,444.6809 100：¥1,412.1666 150：¥1,412.1666 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD1015-06 | 974-SD1015-06新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 1 有库存 | 1：¥747.7353 10：¥686.1582 25：¥615.7827 50：¥545.4072 100：¥492.6285 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | T1G4012036-FL | 772-T1G4012036-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BLC9G24LS-170AVZ | 771-BLC9G24LS-170AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 无库存 | 60：¥684.2394 120：¥637.1235 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 | |
 | BGR 420 H6327 | 726-BGR420H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2970 有库存 | 1：¥5.0544 10：¥4.1301 100：¥2.5155 1,000：¥1.9539 3,000：¥1.6614 9,000：¥1.5444 24,000：¥1.4742 45,000：¥1.4274 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550XRVL | 771-BFU550XRVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.0709 100：¥0.94887 1,000：¥0.72657 2,500：¥0.6201 10,000：¥0.56628 25,000：¥0.52767 50,000：¥0.47385 100,000：¥0.45864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T09D400-23NR6 | 841-A2T09D400-23NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 716-960 MHz, 93 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥938.3634 | 最低： 150 倍数： 150 | |
 | JTDB25 | 494-JTDB25新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥2,405.754 | 最低： 25 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550VL | 771-BFU550VL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7729 100：¥1.6848 1,000：¥1.3104 2,500：¥1.10916 10,000：¥1.04013 25,000：¥0.97929 50,000：¥0.95589 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1304GNR1 | 841-MMRF1304GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥211.4307 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | ARF1511 | 494-ARF1511新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥1,454.4738 2：¥1,419.4323 5：¥1,398.6999 10：¥1,378.8918 25：¥1,359.9963 50：¥1,266.7473 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MS1226 | 494-MS1226新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥487.656 5：¥472.8906 10：¥458.9676 25：¥430.209 50：¥419.9598 100：¥410.1669 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1308HSR5 | 841-MMRF1308HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,295.8218 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 0405SC-1500M | 494-0405SC-1500M新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥13,704.6195 | 最低： 5 倍数： 5 | |
 | AUNA202 | 974-AUNA202新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 50 Ohm | 无库存 | 1：¥585.1872 10：¥536.9949 25：¥481.9113 50：¥426.8394 100：¥356.6979 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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