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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PH2729-25M | 937-PH2729-25M 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥1,456.3684 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | IXFK240N25X3 | 747-IXFK240N25X3新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET | 数据表 | 25 有库存 | 1：¥166.8544 5：¥165.184 10：¥153.9552 25：¥147.0532 100：¥131.428 250：¥125.3612 500：¥119.3756 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
| VRF141 | 494-VRF141新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 12 有库存 | 1：¥416.9736 2：¥405.6752 5：¥394.4464 10：¥383.148 25：¥356.0736 50：¥347.4316 100：¥331.9572 250：¥303.3632 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFC262157FHV1R250XTMA1 | 726-PTFC262157FHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥735.5792 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PD55008TR-E | 511-PD55008TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥119.1436 10：¥109.5156 25：¥104.9684 100：¥92.5216 250：¥87.9744 600：¥82.2904 1,200：¥75.458 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBT5179 | 512-MMBT5179新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 4503 有库存 | 1：¥2.3548 10：¥1.566 100：¥0.66004 1,000：¥0.44776 3,000：¥0.34916 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP61K25HSR5 | 841-MRFE6VP61K25HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,944.6356 5：¥1,901.2516 10：¥1,862.4264 25：¥1,834.888 50：¥1,768.2228 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXRFSM18N50 | 747-IXRFSM18N50新产品 | .[^>]*/1183" target="_blank"> | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMPD RF Power MOSFET | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥305.0336 5：¥295.9276 10：¥277.3444 25：¥256.4992 50：¥251.5692 100：¥235.712 250：¥214.5536 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT05MS004NT1 | 841-AFT05MS004NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥8.3404 2,000：¥8.1896 5,000：¥7.7372 | 最低： 1000 倍数： 1000 | 详细信息 |
| BFP 640F H6327 | 726-BFP640FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1046 有库存 | 1：¥3.4916 10：¥2.8652 100：¥1.74 1,000：¥1.3456 3,000：¥1.15304 9,000：¥1.07648 24,000：¥1.01616 45,000：¥0.99296 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC9G20LS-120VZ | 771-BLC9G20LS-120VZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥495.3896 120：¥459.1396 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BFP 640ESD H6327 | 726-BFP640ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 3747 有库存 | 1：¥4.3964 10：¥3.596 100：¥2.1924 1,000：¥1.6936 3,000：¥1.45 9,000：¥1.3456 24,000：¥1.276 45,000：¥1.2412 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | HFA3101BZ | 968-HFA3101BZ新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W | 数据表 | 680 有库存 | 1：¥60.9812 10：¥55.1348 25：¥52.5596 100：¥45.6576 250：¥43.6044 500：¥39.7416 1,000：¥34.6608 2,500：¥33.3732 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MCH4015-TL-H | 863-MCH4015-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER | 数据表 | 64 有库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.4592 100：¥1.508 1,000：¥1.1716 3,000：¥0.99296 9,000：¥0.92568 24,000：¥0.87928 45,000：¥0.85724 99,000：¥0.82708 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC201202FCV2R250XTMA1 | 726-PXAC201202FCV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥428.6548 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | 2SK3079ATE12LQ | 757-2SK3079ATE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥19.6388 10：¥15.8456 100：¥12.6672 500：¥11.1476 1,000：¥9.2568 2,000：¥8.5724 5,000：¥8.2708 10,000：¥7.9576 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2977-SM | 772-TGF2977-SM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB | 数据表 | 86 有库存 | 1：¥183.1524 25：¥158.4328 100：¥137.0424 250：¥127.4144 500：¥118.4592 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AT-31011-BLKG | 630-AT-31011-BLKG新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.944 10：¥3.3988 100：¥2.2388 1,000：¥1.6472 2,500：¥1.4268 10,000：¥1.2992 25,000：¥1.2412 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV14800F | 941-CGHV14800F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt | 数据表 | 42 有库存 | 1：¥6,846.4476 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB213208SVV2R250XTMA1 | 726-PTFB213208SVV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLA6H0912-500,112 | 771-BLA6H0912-50011新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS RADAR PWR LDMOS | 数据表 | 无库存 | 20：¥3,800.7632 | 最低： 20 倍数： 20 | 详细信息 |
 | MRFE6VS25GNR1 | 841-MRFE6VS25GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G | 数据表 | 1650 有库存 | 1：¥272.4144 5：¥260.4316 10：¥251.256 25：¥219.2516 100：¥214.5536 250：¥205.61 500：¥189.1496 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MT3S113(TE85L,F) | 757-MT3S113TE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 800mW | 数据表 | 无库存 | 3,000：¥2.0532 9,000：¥1.9836 24,000：¥1.8908 45,000：¥1.8676 | 最低： 3000 倍数： 3000 | 详细信息 |
| PTFC270101MV1R1KXUMA1 | 726-PTFC270101MV1R1K新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 1：¥98.6696 10：¥90.7816 25：¥86.9884 100：¥76.676 250：¥72.8828 500：¥68.1848 1,000：¥62.5704 | 最低： 1 倍数： 1 |
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