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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | LET9060 | 511-LET9060 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 400：¥335.9012 | 最低： 400 倍数： 400 | |
 | CGHV22200F | 941-CGHV22200F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥1,598.3408 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MRF6S20010NR1 | 841-MRF6S20010NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2 | 数据表 | 无库存 | 500：¥211.8276 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BLV31 | 974-BLV31新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥659.8196 10：¥549.8516 25：¥494.856 50：¥439.872 100：¥395.8848 200：¥307.9104 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8S9260HSR3 | 841-MRF8S9260HSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,010.1976 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | 2SC5086-Y,LF | 757-2SC5086-YLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 597 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.0532 100：¥1.14492 1,000：¥0.83404 3,000：¥0.72036 9,000：¥0.67512 24,000：¥0.62176 45,000：¥0.59972 99,000：¥0.57652 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFP 740F H6327 | 726-BFP740FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3119 有库存 | 1：¥3.712 10：¥3.074 100：¥1.8676 1,000：¥1.45 3,000：¥1.2412 9,000：¥1.15304 24,000：¥1.09156 45,000：¥1.0614 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRFE6S9125NBR1 | 841-MRFE6S9125NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W | 数据表 | 无库存 | 500：¥480.9824 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | A2T14H450-23NR6 | 841-A2T14H450-23NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1452-1511 MHz, 93 W AVG., 31 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥830.908 | 最低： 150 倍数： 150 | |
| PTVA120251EAV2R250XTMA1 | 726-PTVA120251EAV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥411.5912 | 最低： 250 倍数： 250 | |
.JPG) | PD84006L-E | 511-PD84006L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic | 数据表 | 无库存 | 1：¥68.788 10：¥62.1876 25：¥59.3108 100：¥51.4924 250：¥49.1492 500：¥44.8224 1,000：¥39.0572 3,000：¥37.6188 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M9L30J | 771-BLF2425M9L30J新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥439.2688 200：¥420.2332 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| PTFC262157SHV1R250XTMA1 | 726-PTFC262157SHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥735.5792 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| MRF8P20140WGHSR3 | 841-MRF8P20140WGHSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥690.9076 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PBR941B,215 | 771-PBR941B215新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 10V 50mA 360mW 100 9GHz | 数据表 | 2432 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.7492 100：¥1.6704 1,000：¥1.2992 3,000：¥1.09968 9,000：¥1.03124 24,000：¥0.97092 45,000：¥0.94772 99,000：¥0.91756 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT26HW050SR3 | 841-AFT26HW050SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥483.7084 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| DSC2G02D0L | 667-DSC2G02D0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.5056 10：¥1.6356 100：¥0.77372 500：¥0.58348 1,000：¥0.4698 3,000：¥0.34916 9,000：¥0.28072 24,000：¥0.26564 45,000：¥0.21228 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH27030P | 941-CGH27030P新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 无库存 | 1：¥701.7536 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| ARF463BP1G | 494-ARF463BP1G新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 23 有库存 | 1：¥273.4004 5：¥261.116 10：¥252.9264 25：¥232.4524 50：¥225.4692 100：¥214.7856 250：¥197.3392 500：¥181.7952 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PH1516-30 | 937-PH1516-30新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,093.278 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | CGHV40180F | 941-CGHV40180F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| PH2226-50M | 937-PH2226-50M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥2,660.112 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BLF2324M8LS200PJ | 771-BLF2324M8LS200PJ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,076.0276 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| PTAB182002TCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002TCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |
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