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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTFB093608FVV3R0XTMA1 | 726-PTFB093608FVV3R0 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,020.2896 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | MRF8S9220HSR3 | 841-MRF8S9220HSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S | 数据表 | 无库存 | 250：¥765.8436 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF581A | 974-MRF581A新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 1191 有库存 | 1：¥34.1272 10：¥28.5128 25：¥25.636 50：¥22.7476 100：¥20.474 200：¥15.9268 500：¥14.4884 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFP843H6327XTSA1 | 726-BFP843H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.90 100：¥1.7748 1,000：¥1.3688 3,000：¥1.1716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TPV596 | 974-TPV596新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥591.5536 10：¥492.9652 25：¥443.6652 50：¥394.3768 100：¥354.9368 200：¥276.0568 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-60AVZ | 771-BLC8G27LS-60AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥412.7976 120：¥382.6144 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| MHT1004GNR3 | 841-MHT1004GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 300 W, 32 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,168.932 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| MRF586 | 494-MRF586新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
 | CG2H40025F | 941-CG2H40025F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt | 数据表 | 245 有库存 | 1：¥910.542 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2307 | 494-2307新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,154.606 2：¥1,131.928 5：¥1,094.228 10：¥1,074.5892 25：¥1,052.294 50：¥1,003.3768 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| BFR35APE6327HTSA1 | 726-BFR35APE6327HTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 2875 有库存 | 1：¥2.8768 10：¥2.1808 100：¥1.1832 1,000：¥0.8874 3,000：¥0.7656 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRFE6VP6600GNR3 | 841-MRFE6VP6600GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥711.08 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MMRF1312HSR5 | 841-MMRF1312HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥4,134.3908 5：¥4,070.8344 10：¥4,010.236 25：¥3,923.70 50：¥3,863.4032 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF6V12500HR5 | 841-MRF6V12500HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,805.7268 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTAB182002TCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002TCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| BLW96 | 974-BLW96新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 27 有库存 | 1：¥1,266.546 5：¥1,262.7528 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU530R | 771-BFU530R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 7883 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.8188 100：¥1.7168 1,000：¥1.3224 3,000：¥1.12984 9,000：¥1.05444 24,000：¥1.00108 45,000：¥0.97788 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NPTB00004A | 937-NPTB00004A新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT | 数据表 | 686 有库存 | 1：¥90.0972 10：¥86.7564 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BLF861A | 974-BLF861A新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 14 有库存 | 1：¥855.2564 25：¥796.862 100：¥774.0332 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6VP3091NBR5 | 841-MRF6VP3091NBR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W | 数据表 | 无库存 | 50：¥517.8356 100：¥479.9152 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BLF2425M6LS180P:11 | 771-BLF2425M6LS180P新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,040.23 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | 0405SC-100M | 494-0405SC-100M新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥3,566.5708 | 最低： 5 倍数： 5 | |
| BFR 460L3 E6327 | 726-BFR460L3E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA | 数据表 | 2026 有库存 | 1：¥2.8768 10：¥2.204 100：¥1.1948 1,000：¥0.89436 2,500：¥0.77372 10,000：¥0.72036 15,000：¥0.66004 45,000：¥0.63684 90,000：¥0.6148 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STAC3933 | 511-STAC3933新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET | 数据表 | 无库存 | 1：¥825.1428 5：¥810.0512 10：¥773.5808 25：¥747.794 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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