24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF137 | 974-MRF137 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥374.3552 10：¥336.8872 25：¥318.304 50：¥308.8268 100：¥235.7932 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
| AGR19090EF | 974-AGR19090EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 36Watt Gain 15dB | 无库存 | 1：¥741.3444 5：¥680.2936 10：¥610.5196 25：¥540.7456 50：¥488.418 100：¥470.9716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| BFY740B01PB4SA1 | 726-BFY740B01PB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| MAPR-002731-115M00 | 937-MAPR002731115M00新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1 | 数据表 | 无库存 | 5：¥2,483.7108 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB213208SVV1R250XTMA1 | 726-PTFB213208SVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF13750HR5 | 771-MRF13750HR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W | 数据表 | 94 有库存 | 1：¥2,374.9492 5：¥2,317.8424 10：¥2,260.2832 25：¥2,228.5804 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT21S220W02SR3 | 841-AFT21S220W02SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 50 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥982.5896 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | QPD1003 | 772-QPD1003新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN | 数据表 | 19 有库存 | 1：¥6,325.1204 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| VRF148AMP | 494-VRF148AMP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 无库存 | 10：¥666.4896 25：¥641.306 50：¥632.664 100：¥579.5012 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | ARF466AG | 494-ARF466AG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥367.9056 2：¥357.8948 5：¥347.9536 10：¥338.024 25：¥314.128 50：¥306.472 100：¥292.8188 250：¥267.6468 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| NE97733-T1-A | 551-NE97733-T1-A新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 PNP High Frequency | 数据表 | 无库存 | 3,000：¥15.544 6,000：¥15.0916 | 最低： 3000 倍数： 3000 | 详细信息 |
| MRFE6VP5300NR1 | 841-MRFE6VP5300NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥552.1948 5：¥536.1172 10：¥524.5868 25：¥502.5932 100：¥465.74 250：¥445.6372 500：¥432.216 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55003S-E | 511-PD55003S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥95.2592 10：¥87.5916 25：¥83.9608 100：¥73.95 250：¥70.3076 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF1K50GNR5 | 841-MRF1K50GNR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V | 数据表 | 46 有库存 | 1：¥1,835.6536 5：¥1,794.694 10：¥1,757.9916 25：¥1,732.054 50：¥1,669.1008 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | VRF2933 | 494-VRF2933新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 18 有库存 | 1：¥849.4216 2：¥823.02 5：¥822.7996 10：¥796.2472 25：¥766.2148 50：¥755.9024 100：¥692.4272 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAD214218FVV1R0XTMA1 | 726-PXAD214218FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10E | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,020.2896 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | QPD1011SR | 772-QPD1011SR新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 7W 50V GaN | 数据表 | 100 有库存 | 1：¥341.2836 25：¥303.3632 100：¥265.4428 200：¥242.6952 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MCH4009-TL-H | 863-MCH4009-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER | 数据表 | 4356 有库存 | 1：¥2.8768 10：¥1.9836 100：¥0.9106 1,000：¥0.69716 3,000：¥0.59972 9,000：¥0.54636 24,000：¥0.50808 45,000：¥0.45472 99,000：¥0.43964 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC261212FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC261212FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥583.8976 100：¥543.7036 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| UF28100M | 937-UF28100M新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 5 有库存 | 1：¥1,561.1048 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD57006S-E | 511-PD57006S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 400：¥90.6308 800：¥84.7844 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | CG2H40045F | 941-CG2H40045F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt | 数据表 | 117 有库存 | 1：¥1,511.132 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | RFM01U7P(TE12L,F) | 757-RFM01U7PTE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V | 数据表 | 无库存 | 1：¥19.6388 10：¥15.8456 100：¥12.6672 500：¥11.1476 1,000：¥9.2568 2,000：¥8.5724 5,000：¥8.2708 10,000：¥7.9576 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB091802FCV1R0XTMA1 | 726-PTFB091802FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥494.856 100：¥458.606 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
