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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFR 750L3RH E6327 | 726-BFR750L3RHE6327 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |  详细信息 | |
 | PD57060-E | 511-PD57060-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam | 数据表 | 34 有库存 | 1：¥410.2224 5：¥401.0468 10：¥385.352 25：¥372.9052 100：¥345.6104 250：¥335.6692 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| VRF161 | 494-VRF161新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥447.5396 2：¥439.2688 5：¥434.2692 10：¥421.1496 25：¥405.7448 50：¥392.8572 100：¥374.8076 250：¥343.3368 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MAPRST1030-1KS | 937-MAPRST1030-1KS新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1030MHz 1000W Gain: 8.0dB | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥5,028.5536 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| VRF141MP | 494-VRF141MP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥735.1964 2：¥712.3676 5：¥712.1472 10：¥689.2372 25：¥663.23 50：¥654.2748 100：¥599.2908 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFA092201EV4R250XTMA1 | 726-PTFA092201EV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 250：¥900.8328 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLF10H6600PU | 771-BLF10H6600PU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF10H6600P/LDMOST/STANDARD MA | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,568.3896 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| BLF2425M9LS140J | 771-BLF2425M9LS140J新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 无库存 | 100：¥862.3904 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 | |
| MRF300AN | 771-MRF300AN新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L | 无库存 | 240：¥304.0476 250：¥280.9868 | 最低： 240 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF1513NT1 | 841-MRF1513NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5 | 数据表 | 367 有库存 | 1：¥80.9216 10：¥73.1148 25：¥63.7768 100：¥60.5984 250：¥57.7912 500：¥52.7104 1,000：¥44.5904 2,000：¥42.9316 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| MMRF1014NT1 | 841-MMRF1014NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V | 数据表 | 998 有库存 | 1：¥97.7532 10：¥89.8768 25：¥85.9328 100：¥75.922 250：¥67.802 500：¥65.5284 1,000：¥60.146 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2N5643 | 974-2N5643新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 8 有库存 | 1：¥568.806 10：¥474.0108 25：¥426.6016 50：¥379.204 100：¥341.2836 200：¥265.4428 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| VRF157FLMP | 494-VRF157FLMP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 10：¥3,819.0448 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF157 | 974-MRF157新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,905.8012 10：¥3,731.372 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF393 | 937-MRF393新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥637.2924 10：¥621.818 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2929-HM | 772-TGF2929-HM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN | 数据表 | 25 有库存 | 25：¥2,566.7552 | 最低： 25 倍数： 25 | 详细信息 |
| MRF314 | 974-MRF314新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥432.2972 10：¥360.2496 25：¥324.22 50：¥288.1904 100：¥259.376 200：¥246.4884 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD20010STR-E | 511-PD20010STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann | 数据表 | 无库存 | 600：¥95.178 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
| MDS140L | 494-MDS140L新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,598.7236 2：¥1,560.2696 5：¥1,537.3712 10：¥1,515.598 25：¥1,494.9036 50：¥1,392.3596 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SS9018FBU | 512-SS9018FBU新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA | 数据表 | 26306 有库存 | 1：¥1.5196 10：¥1.02428 100：¥0.43268 1,000：¥0.2958 2,500：¥0.22736 10,000：¥0.1972 25,000：¥0.18212 50,000：¥0.174 100,000：¥0.15196 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF178P,112 | 771-BLF178P112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR 1200W LDMOS | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,485.8672 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| LET9180 | 511-LET9180新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180W 32V Wideband LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,440.5228 5：¥1,405.862 10：¥1,370.9692 25：¥1,351.7828 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1011HSR5 | 841-MMRF1011HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,382.8732 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BF909,235 | 771-BF909235新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.176 10：¥3.4452 100：¥2.1112 1,000：¥1.6356 2,500：¥1.392 10,000：¥1.2992 20,000：¥1.2296 50,000：¥1.1948 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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