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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTAB182002TCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002TCV1R2 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PD84010TR-E | 511-PD84010TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz | 数据表 | 无库存 | 600：¥86.3852 | 最低： 600 倍数： 600 | |
 | BF 888 H6327 | 726-BF888H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0252 10：¥3.2712 100：¥1.9952 1,000：¥1.5428 3,000：¥1.3224 9,000：¥1.2296 24,000：¥1.16 45,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
| TGF3021-SM | 772-TGF3021-SM新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans | 数据表 | 17 有库存 | 1：¥1,033.2584 25：¥893.6292 100：¥772.8964 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB072707FHV1R0XTMA1 | 726-PTFB072707FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥804.9008 100：¥764.6256 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| AFT21S230SR5 | 841-AFT21S230SR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 50：¥776.0748 100：¥721.7752 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFR 93AW H6327 | 726-BFR93AWH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 14798 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | IXZ210N50L2 | 747-IXZ210N50L2新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ210N50L2 10A 500V N Channel ZMOS Linear MOSFET | 数据表 | 无库存 | 1：¥177.4684 5：¥172.1556 10：¥161.3908 25：¥149.2572 50：¥146.3688 100：¥137.1932 250：¥124.8392 500：¥117.0208 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZR08N120A-00 | 747-IXZR08N120A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1200V 8A RF MOSFET, with ISOPLUS-247A package | 数据表 | 45 有库存 | 1：¥234.494 5：¥227.4412 10：¥213.1848 25：¥197.1884 50：¥193.314 100：¥181.1804 250：¥164.952 500：¥154.5584 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP5600HR5 | 841-MRFE6VP5600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H | 数据表 | 74 有库存 | 1：¥1,412.9148 5：¥1,381.444 10：¥1,353.1516 25：¥1,333.2112 50：¥1,284.7464 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 0912-45 | 494-0912-45新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,104.1692 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF178P,112 | 771-BLF178P112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR 1200W LDMOS | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,485.8672 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BLF25M612,118 | 771-BLF25M612118新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 19dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| PTFA220121MV4XUMA1 | 726-PTFA220121MV4XUM新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 1：¥106.6272 10：¥98.0664 25：¥94.0412 100：¥82.8124 250：¥78.7988 500：¥73.718 1,000：¥67.57 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MMBTH81 | 512-MMBTH81新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 PNP RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1.8212 10：¥1.218 100：¥0.50808 1,000：¥0.34916 3,000：¥0.2726 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57006-E | 511-PD57006-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS | 数据表 | 171 有库存 | 1：¥122.786 10：¥112.926 25：¥108.228 100：¥95.3288 250：¥90.6308 500：¥84.7844 1,000：¥77.8128 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC243502FVV1XWSA1 | 726-PXAC243502FVV1X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 35：¥1,032.8756 | 最低： 35 倍数： 35 | |
 | 1035MP | 494-1035MP新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥822.6488 100：¥796.63 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT18S230SR5 | 841-AFT18S230SR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 50：¥776.0748 100：¥721.7752 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTVA042502ECV1R0XTMA1 | 726-PTVA042502ECV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,052.5144 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | ARF460BG | 494-ARF460BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥318.2228 2：¥309.5808 5：¥301.0084 10：¥292.3664 25：¥271.7416 50：¥265.1412 100：¥253.3092 250：¥231.4664 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFS25A,115 | 771-BFS25A115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS | 数据表 | 2475 有库存 | 1：¥4.176 10：¥3.4336 100：¥2.088 1,000：¥1.6124 3,000：¥1.3804 9,000：¥1.276 24,000：¥1.218 45,000：¥1.1948 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT09MS031GNR1 | 841-AFT09MS031GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V | 数据表 | 465 有库存 | 1：¥131.3584 10：¥120.814 25：¥115.4316 100：¥102.0104 250：¥91.1644 500：¥88.1252 1,000：¥80.852 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | LET9045 | 511-LET9045新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 1：¥381.7096 5：¥373.1372 10：¥358.5792 25：¥346.9676 100：¥321.5636 250：¥312.3068 | 最低： 1 倍数： 1 |
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