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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1014-6A | 494-1014-6A 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,192.1436 | 最低： 50 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MRF6VP121KHR5 | 841-MRF6VP121KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,397.5484 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MT3S20TU(TE85L) | 757-MT3S20TUTE85L新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V | 数据表 | 3406 有库存 | 1：¥3.4916 10：¥2.2852 100：¥1.276 1,000：¥0.93264 3,000：¥0.80388 9,000：¥0.75052 24,000：¥0.6902 45,000：¥0.667 99,000：¥0.63684 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NSVF6003SB6T1G | 863-NSVF6003SB6T1G新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 0.15A 12V FT=7G | 数据表 | 2790 有库存 | 1：¥4.8488 10：¥4.002 100：¥2.5752 1,000：¥2.0648 3,000：¥1.74 9,000：¥1.682 24,000：¥1.6124 45,000：¥1.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD84006-E | 511-PD84006-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic | 数据表 | 400 有库存 | 1：¥114.5152 10：¥105.27 25：¥100.9432 100：¥88.8908 250：¥84.564 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAD214218FVV1R2XTMA1 | 726-PXAD214218FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10E | 数据表 | 无库存 | 250：¥901.668 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | CGH60008D-GP4 | 941-CGH60008D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt | 数据表 | 240 有库存 | 10：¥179.1388 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
 | BLT81,115 | 771-BLT81115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF | 数据表 | 1323 有库存 | 1：¥18.4324 10：¥15.6948 100：¥12.5164 500：¥10.9968 1,000：¥9.106 2,000：¥8.4912 5,000：¥8.1896 10,000：¥7.888 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MAPRST1214-150UF | 937-MAPRST1214-150UF新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 150W Gain: 7.4dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,454.1668 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFP 620F H7764 | 726-BFP620FH7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 10227 有库存 | 1：¥4.176 10：¥3.4104 100：¥2.0764 1,000：¥1.6124 3,000：¥1.3688 9,000：¥1.276 24,000：¥1.2064 45,000：¥1.1832 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRFE8VP8600HR5 | 841-MRFE8VP8600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,347.8388 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L140,118 | 771-BLF2425M7L140118新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.45GHz 65V 17.5dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥862.3904 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| MHT1001HR5 | 841-MHT1001HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4GHZ HV6 40W | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,373.6256 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRFX1K80H-128MHZ | 771-MRFX1K80H-128MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3500W pulse - 2 up - 128MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥9,920.3548 5：¥9,813.7972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T2G4003532-FL | 772-T2G4003532-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥1,558.5296 25：¥1,406.5464 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF466BG | 494-ARF466BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 15 有库存 | 1：¥367.9056 2：¥357.8948 5：¥347.9536 10：¥338.024 25：¥314.128 50：¥306.472 100：¥292.8188 250：¥267.6468 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8P20165WHR3 | 841-MRF8P20165WHR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥801.4092 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | 275X2-501N16A-00 | 747-275X2-501N16A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275X2 500V 16A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 26 有库存 | 1：¥219.7852 5：¥213.266 10：¥199.8448 25：¥184.8228 50：¥181.2616 100：¥169.882 250：¥154.6396 500：¥144.9304 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2956 | 772-TGF2956新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| PTFB213004FV2R0XTMA1 | 726-PTFB213004FV2R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥966.2104 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | QPD0030 | 772-QPD0030新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V | 数据表 | 249 有库存 | 1：¥274.92 25：¥230.3992 100：¥207.35 250：¥192.0264 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC182002FCV2R2XTMA1 | 726-PXAC182002FCV2R2新产品 | Infineon / IR | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥512.3024 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| AFT26P100-4WGSR3 | 841-AFT26P100-4WGSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2496-2690 MHz 22 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥627.8848 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| AFT21S140W02GSR3 | 841-AFT21S140W02GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,000.1172 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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