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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF6V12250HSR5 | 841-MRF6V12250HSR5 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,956.3864 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | PTVA120251EAV1XWSA1 | 726-PTVA120251EAV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | CGH55030F2 | 941-CGH55030F2新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt | 数据表 | 59 有库存 | 1：¥932.9184 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT18H357-24SR6 | 841-AFT18H357-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,159.0024 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | MRF5174 | 974-MRF5174新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| LET9060STR | 511-LET9060STR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 1：¥410.2224 5：¥401.0468 10：¥385.352 25：¥372.9052 100：¥345.6104 250：¥335.6692 600：¥307.6088 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| MHT1004NR3 | 841-MHT1004NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 300 W, 32 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,168.932 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | RFM12U7X(TE12L,Q) | 757-RFM12U7XTE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V | 数据表 | 无库存 | 1：¥69.2404 10：¥62.3384 25：¥56.8052 100：¥51.272 250：¥47.096 500：¥42.9316 1,000：¥37.3868 2,000：¥36.0296 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| A2T18S260-12SR3 | 841-A2T18S260-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥763.7208 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PTFB212503FLV2R0XTMA1 | 726-PTFB212503FLV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥751.0536 100：¥699.3292 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| DSC2G02C0L | 667-DSC2G02C0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.5056 10：¥1.6356 100：¥0.77372 500：¥0.58348 1,000：¥0.4698 3,000：¥0.34916 9,000：¥0.28072 24,000：¥0.26564 45,000：¥0.21228 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 842ESD H6327 | 726-BFP842ESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 1589 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.90 100：¥1.7748 1,000：¥1.3688 3,000：¥1.1716 9,000：¥1.0846 24,000：¥1.03124 45,000：¥1.0092 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTVA093002NDV1R5XUMA1 | 726-PTVA093002NDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥426.9032 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MRF8P29300HSR6 | 841-MRF8P29300HSR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S | 数据表 | 无库存 | 150：¥2,761.5192 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
| BFR182E6327HTSA1 | 726-BFR182E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 3400 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.4824 100：¥1.14492 1,000：¥0.87928 3,000：¥0.75052 9,000：¥0.68208 24,000：¥0.63684 48,000：¥0.57652 99,000：¥0.55332 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF150J | 937-MRF150J新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥409.9904 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFS19,235 | 771-BFS19235新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.958 10：¥2.204 100：¥1.1948 1,000：¥0.89436 2,500：¥0.77372 10,000：¥0.72036 20,000：¥0.66004 50,000：¥0.63684 100,000：¥0.6148 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1008HR5 | 841-MMRF1008HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,407.638 5：¥2,370.634 10：¥2,335.37 25：¥2,284.9332 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| SD2943W | 511-SD2943W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz | 数据表 | 无库存 | 50：¥949.982 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | BF556A,235 | 771-BF556A235新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single "+/- 30V 7mA | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.5892 20,000：¥1.5196 50,000：¥1.4964 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | CGH40006P | 941-CGH40006P新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt | 数据表 | 320 有库存 | 1：¥429.5596 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MAPRST1214-6UF | 937-MAPRST1214-6UF新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 6W Gain: 8.75dB | 数据表 | 无库存 | 10：¥1,262.0684 25：¥1,162.4128 50：¥883.4676 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 |
| JTDB25 | 494-JTDB25新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥2,385.192 | 最低： 25 倍数： 1 | 详细信息 |
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